光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場(chǎng)上不同種類光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì)，自2011年至今，光刻膠中國(guó)本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率達(dá)到11%，高于全球平均5%的增速。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，全球占比約10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。激光器光刻技術(shù)

通常來(lái)說(shuō)，在使用工藝方法一致的情況下，波長(zhǎng)越短，加工分辨率越佳。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在襯底的中心，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。激光器光刻技術(shù)光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。

日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么？究其原因，主要是技術(shù)和市場(chǎng)兩大壁壘過高導(dǎo)致的。首先，光刻膠作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，扮演著極其重要的角色，甚至可以和光刻機(jī)相媲美，但市場(chǎng)規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場(chǎng)的規(guī)模才90億美元，不及一家大型IC設(shè)計(jì)企業(yè)的年?duì)I收，行業(yè)成長(zhǎng)空間有限，自然進(jìn)入的企業(yè)就少。另一方面，光刻膠又是一個(gè)具有極高技術(shù)壁壘的產(chǎn)業(yè)。由于不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求。導(dǎo)致光刻膠的種類極其繁雜，必須通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化應(yīng)用需求，這也是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷。目前前五大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)87%的份額，行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。光刻可能會(huì)出現(xiàn)顯影不干凈的異常，主要原因可能是顯影時(shí)間不足、顯影溶液使用周期過長(zhǎng)。

通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對(duì)光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對(duì)感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅僅要配臵齊全的測(cè)試儀器，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合，經(jīng)過復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對(duì)光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對(duì)于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，光刻機(jī)又被稱為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。激光器光刻技術(shù)

接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。激光器光刻技術(shù)

整個(gè)光刻顯影過程中，TMAH沒有同PHS發(fā)生反應(yīng)。負(fù)性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。顯影中的常見問題：a、顯影不完全（IncompleteDevelopment）。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成；b、顯影不夠（UnderDevelopment）。顯影的側(cè)壁不垂直，由顯影時(shí)間不足造成；c、過度顯影（OverDevelopment）。靠近表面的光刻膠被顯影液過度溶解，形成臺(tái)階。顯影時(shí)間太長(zhǎng)。硬烘方法：熱板，100～130C（略高于玻璃化溫度Tg），1～2分鐘。目的：完全蒸發(fā)掉光刻膠里面的溶劑（以免在污染后續(xù)的離子注入環(huán)境，例如DNQ酚醛樹脂光刻膠中的氮會(huì)引起光刻膠局部爆裂）；激光器光刻技術(shù)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)內(nèi)的多項(xiàng)綜合服務(wù)，為消費(fèi)者多方位提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，公司位于長(zhǎng)興路363號(hào)，成立于2016-04-07，迄今已經(jīng)成長(zhǎng)為電子元器件行業(yè)內(nèi)同類型企業(yè)的佼佼者。公司主要提供面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高品質(zhì)的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。等領(lǐng)域內(nèi)的業(yè)務(wù)，產(chǎn)品滿意，服務(wù)可高，能夠滿足多方位人群或公司的需要。產(chǎn)品已銷往多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，被國(guó)內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可。