光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不只包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層。光刻的優點是它可以精確地控制形成圖形的形狀、大小，此外它可以同時在整個芯片表面產生外形輪廓。不過，其主要缺點在于它必須在平面上使用，在不平的表面上它的效果要差一些。此外它還要求襯底具有極高的清潔條件。區熔硅單晶的較大需求來自于功率半導體器件。天津壓電半導體器件加工

單晶硅片是單晶硅棒經由一系列工藝切割而成的，制備單晶硅的方法有直拉法（CZ法）、區熔法（FZ法）和外延法，其中直拉法和區熔法用于制備單晶硅棒材。區熔硅單晶的較大需求來自于功率半導體器件。直拉法簡稱CZ法。CZ法的特點是在一個直筒型的熱系統匯總，用石墨電阻加熱，將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅熔化，然后將籽晶插入熔體表面進行熔接，同時轉動籽晶，再反轉坩堝，籽晶緩慢向上提升，經過引晶、放大、轉肩、等徑生長、收尾等過程，得到單晶硅。天津壓電半導體器件加工刻蝕先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。

半導體元器件的制備首先要有較基本的材料——硅晶圓，通過在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術較復雜且資金投入較多的過程。由于芯片是高精度的產品，因此對制造環境有很高的要求，其所需制造環境為為一溫度、濕度與含塵均需控制的無塵室。此外，一枚芯片所需處理步驟可達數百道，而且使用的加工機臺先進且昂貴，動輒數千萬一臺，雖然詳細的處理程序是隨著產品種類與所使用的技術有關；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過適當的清洗之後，接著進行氧化及沈積，較後進行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。

光刻過程：首先，通過金屬化過程，在硅襯底上布置一層只數納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解。使特定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上，可以對光刻膠進行選擇性照射（曝光）。然后使用前面提到的顯影液，溶解掉被照射的區域，這樣，光掩模上的圖形就呈現在光刻膠上。通常還將通過烘干措施，改善剩余部分光刻膠的一些性質。上述步驟完成后，就可以對襯底進行選擇性的刻蝕或離子注入過程，未被溶解的光刻膠將保護襯底在這些過程中不被改變。刻蝕或離子注入完成后，將進行光刻的較后一步，即將光刻膠去除，以方便進行半導體器件制造的其他步驟。通常，半導體器件制造整個過程中，會進行很多次光刻流程。生產復雜集成電路的工藝過程中可能需要進行多達50步光刻，而生產薄膜所需的光刻次數會少一些。半導體元器件的制備首先要有較基本的材料——硅晶圓。

晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數也出現了新的數據特點。單晶拋光硅片加工流程：切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分。天津壓電半導體器件加工

芯片封裝后測試則是對封裝好的芯片進行性能測試，以保證器件封裝后的質量和性能。天津壓電半導體器件加工

半導體設備泛指用于生產各類半導體產品所需的生產設備，屬于半導體行業產業鏈的關鍵支撐環節。半導體設備是半導體產業的技術先導者，芯片設計、晶圓制造和封裝測試等需在設備技術允許的范圍內設計和制造，設備的技術進步又反過來推動半導體產業的發展。以半導體產業鏈中技術難度較高、附加值較大、工藝較為復雜的集成電路為例，應用于集成電路領域的設備通常可分為前道工藝設備（晶圓制造）和后道工藝設備（封裝測試）兩大類。其中的前道晶圓制造中的七大步驟分別為氧化／擴散，光刻，刻蝕，清洗，離子注入，薄膜生長，拋光。每個步驟用到的半導體設備具體如下：天津壓電半導體器件加工

廣東省科學院半導體研究所是以微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務研發、生產、銷售、服務為一體的面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高品質的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業提供開放共享，為技術咨詢、創新研發、技術驗證以及產品中試提供支持。企業，公司成立于2016-04-07，地址在長興路363號。至創始至今，公司已經頗有規模。本公司主要從事微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務領域內的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等產品的研究開發。擁有一支研發能力強、成果豐碩的技術隊伍。公司先后與行業上游與下游企業建立了長期合作的關系。芯辰實驗室,微納加工以符合行業標準的產品質量為目標，并始終如一地堅守這一原則，正是這種高標準的自我要求，產品獲得市場及消費者的高度認可。廣東省科學院半導體研究所以先進工藝為基礎、以產品質量為根本、以技術創新為動力，開發并推出多項具有競爭力的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產品，確保了在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務市場的優勢。