半導體三極管也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中重要的器件。它主要的功能是電流放大和開關作用。三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結構成的，而三極管由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。三極管的種類很多，并且不同型號各有不同的用途。三極管大都是塑料封裝或金屬封裝，常見三極管的外觀，有一個箭頭的電極是發射極，箭頭朝外的是NPN型三極管，而箭頭朝內的是PNP型。實際上箭頭所指的方向是電流的方向。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結。湖州高頻三極管用途

三極管的工作原理：放大原理因三極管三個區制作工藝的設定以及內部的兩個PN結相互影響，使三極管呈現出單個PN結所沒有的電流放大的功能。外加偏置電源配置：要求發射結正偏，集電結反偏。三極管在實際的放大電路中使用時，還需要外加合適的偏置電路。原因是：由于三極管BE結的非線性，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產生(對于硅管，常取0.7v)。當基極與發射極之間的電壓小于0.7v時，基極電流就可以認為是0。放大區的特點是，隨著IB的增加，IC也增加，IC主要受控于IB，與VCE關系不大，上圖清晰地描述了這個現象。通俗點說就是用IB來控制IC，所有三極管是電流控制型器件。還是以水杯模型來加深記憶，放大狀態的水杯中，不管水杯高度VCE是多高，IC的高度只受控于IB。湖州高頻三極管用途三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式。

共基極放大電路共基極放大器的應用較前兩種放大器要少得多。是一種典型的共基極放大器。在該放大器內，VT是放大管，C1是輸入信號耦合電容，C2是輸出信號耦合電容，C3是基極的交流接地電容，R1、R2是VT基極的直流偏置電阻，R3是VT的集電極負載電阻，R4是VT的發射極電阻，VCC是供電電壓，Ui是輸入信號，Uo是輸出信號。直流偏置電源電壓VCC不通過R3加到VT的集電極，為它供電，而且通過R1、R2分壓后，加到VT的基極，為基極提供直流偏置電壓，Ub≈VCCR2/（R1+R2）。流過R1的電流分兩路到地：一路是通過R2到地，另一路是通過VT的發射結、R4到地。

三極管工作狀態截止狀態當加在三極管發射結的電壓小于PN結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極管這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當于開關的斷開狀態，我們稱三極管處于截止狀態。放大狀態當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并處于某一恰當的值時，三極管的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數β=ΔIc/ΔIb，這時三極管處放大狀態。盟科電子是一家從事三極管研發，制造，應用的廠家，使用的芯片為高溫背金芯片，質量穩定。

三極管的電子運動原理：發射結加正向電壓，擴散運動形成發射極電流IE發射結加正向電壓且發射區雜質濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發射結到達基區。與此同時，空穴也從基區向發射區擴散，但由于基區雜質濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時可忽略不計。可見，擴散運動形成了發射極電流IE。由于基區很薄，雜質濃度很低，集電結又加了反向電壓，所以擴散到基區的電子中只有極少部分與空穴復合，其余部分均作為基區的非平衡少子到達集電結。又由于電源 VBE的作用，電子與空穴的復合運動將源源不斷地進行，形成基極電流IB。SOT-23 PNP貼片三極管，型號MMBT3906 S8550。湖州高頻三極管用途

三極管而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅。湖州高頻三極管用途

三極管的 β 值不是一個不變的常數。在實際使用中，調整三極管的集電極電流 I ， β 值會隨著發生變化。一般說來，在 I c 很小（例如幾十微安）或很大（即接近集電極大允電流 I CM ）時， β 值都比較小，在 1mA 以上相當寬的范圍內，小功率管的 β 值都比較大，所以，同學們在調試放大電路時，要確定合適的工作電流 I c ，以獲得佳放大狀態。另外， β 值也和三極管的其它參數一樣，跟溫度有密切的關系。溫度升高， β 值相應變大。一般溫度每升高 1℃ ， β 值增加 0.5 ％～ 1 ％。湖州高頻三極管用途

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