用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場效應管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵極Ｇ，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發生變化，也就是漏源極間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。場效應管的抗輻射能力強。嘉興雙極場效應管推薦廠家

場效應晶體管的一個優點是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ），從而使控制和流動彼此。因為基極電流噪聲將隨著整形時間而增加，場效應晶體管通常比雙極結型晶體管 (BJT)產生更少的噪聲，因此可應用于噪聲敏感電子器件，例如調諧器和用于甚高頻和衛星接收機的低噪聲放大器。場效應晶體管對輻射相對免疫。它在零漏極電流下不顯示失調電壓，因此是一款出色的信號斬波器。場效應晶體管通常比雙極結型晶體管具有更好的熱穩定性。因為場效應晶體管是由柵極電荷控制的，所以在某下狀態下一旦柵極閉合或打開，就不會像使用雙極結晶體管或者是非閉鎖的繼電器一樣有額外的功率損耗。這允許極低功率開關，這反過來又允許電路更小型化，因為與其他類型的開關相比，散熱需求減少了。嘉興雙極場效應管推薦廠家漏極(D)，載流子通過漏極離開溝道。通常，在漏極處進入通道的電流由ID表示。

場效應管使用時應注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。（6）電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場效應晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。

場效應管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BJT的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調制至運行；在電路設計中，很少讓體端發揮大的作用，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

場效應管在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。場效應管輸出為輸入的2次冪函數。嘉興雙極場效應管推薦廠家

場效應管場效應管更好的熱穩定性，抗輻射性和較低噪聲 。嘉興雙極場效應管推薦廠家

與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；（5）場效應管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。嘉興雙極場效應管推薦廠家

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