MEMS制造是基于半導體制造技術上發展起來的；它融合了擴散、薄膜（PVD/CVD）、光刻、刻蝕（干法刻蝕、濕法腐蝕）等工藝作為前段制程，繼以減薄、切割、封裝與測試為后段，輔以精密的檢測儀器來嚴格把控工藝要求，來實現其設計要求。MEMS制程各工藝相關設備的極限能力又是限定器件尺寸的關鍵要素，且其相互之間的配套方能實現設備成本的較低；MEMS生產中的薄膜指通過蒸鍍、濺射、沉積等工藝將所需物質覆蓋在基片的表層，根據其過程的氣相變化特性，可分為PVD與CVD兩大類。微機電系統也叫做微電子機械系統、微系統、微機械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。四川壓電半導體器件加工流程

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路，這是所需技術較復雜、投資較大的工藝。作為一個例子，單片機的加工工序多達幾百道，而且需要的加工設備也比較先進，成本較高。盡管細節處理程序會隨著產品類型和使用技術的改變而發生變化，但是它的基本處理步驟通常是晶圓片首先進行適當的清洗，然后經過氧化和沉淀處理，較后通過多次的微影、蝕刻和離子植入等步驟，較終完成了晶圓上電路的加工和制造。四川壓電半導體器件加工流程MEMS加工技術：傳統機械加工方法指利用大機器制造小機器,再利用小機器制造微機器。

刻蝕是半導體制造工藝以及微納制造工藝中的重要步驟。刻蝕狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高級制造業水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產業發展、拉動科技進步、保障國防安全等方面都發揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類。“自上而下”是從宏觀對象出發，以光刻工藝為基礎，對材料或原料進行加工，較小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環節的分辨力決定。“自下而上”技術則是從微觀世界出發，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起，形成微納結構與器件。清洗是晶圓加工制造過程中的重要一環。

單晶圓清洗取代批量清洗是先進制程的主流，單晶圓清洗通常采用單晶圓清洗設備，采用噴霧或聲波結合化學試劑對單晶圓進行清洗。單晶圓清洗首先能夠在整個制造周期提供更好的工藝控制，即改善了單個晶圓和不同晶圓間的均勻性，這提高了良率；其次更大尺寸的晶圓和更緊縮的制程設計對于雜質更敏感，那么批量清洗中若出現交叉污染的影響會更大，進而危及整批晶圓的良率，這會帶來高成本的芯片返工支出；另外圓片邊緣清洗效果更好，多品種小批量生產的適配性等優點也是單晶圓清洗的優勢之一。整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。四川壓電半導體器件加工流程

制備單晶硅的方法有直拉法（CZ法）、區熔法（FZ法）和外延法。四川壓電半導體器件加工流程

單晶硅片是單晶硅棒經由一系列工藝切割而成的，制備單晶硅的方法有直拉法（CZ法）、區熔法（FZ法）和外延法，其中直拉法和區熔法用于制備單晶硅棒材。區熔硅單晶的較大需求來自于功率半導體器件。直拉法簡稱CZ法。CZ法的特點是在一個直筒型的熱系統匯總，用石墨電阻加熱，將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅熔化，然后將籽晶插入熔體表面進行熔接，同時轉動籽晶，再反轉坩堝，籽晶緩慢向上提升，經過引晶、放大、轉肩、等徑生長、收尾等過程，得到單晶硅。四川壓電半導體器件加工流程

廣東省科學院半導體研究所正式組建于2016-04-07，將通過提供以微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等服務于于一體的組合服務。旗下芯辰實驗室,微納加工在電子元器件行業擁有一定的地位，品牌價值持續增長，有望成為行業中的佼佼者。我們在發展業務的同時，進一步推動了品牌價值完善。隨著業務能力的增長，以及品牌價值的提升，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力。廣東省半導體所始終保持在電子元器件領域優先的前提下，不斷優化業務結構。在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等領域承攬了一大批高精尖項目，積極為更多電子元器件企業提供服務。