真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。電子束蒸發法是真空蒸發鍍膜中常用的一種方法，是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料，使蒸發材料氣化并向襯底輸運，在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中，可避免蒸發材料與坩堝壁發生反應影響薄膜的質量，因此，電子束蒸發沉積法可以制備高純薄膜。真空鍍膜機類金剛石薄膜通過蒸餾或濺射等方式在塑件表面沉積各種金屬和非金屬薄膜。LPCVD真空鍍膜實驗室

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發展，濺射鍍膜技術飛速發展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結合力強；鍍膜層致密、均勻；設備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。LPCVD真空鍍膜實驗室真空鍍膜的操作規程：把零件放入酸洗或堿洗槽中時，應輕拿輕放，不得碰撞及濺出。

真空鍍膜技術在國民經濟各個領域有著廣泛應用，特別是近幾年來，我國國民經濟的迅速發展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產品的不斷涌現。尤其是在電子材料與元器件工業領域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴散法、電鍍法、涂布法、液相生長法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環境下進行的，因此稱它們為真空鍍膜技術。真空蒸發、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術。真空蒸發鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。

真空鍍膜：等離子體增強化學氣相沉積：在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強化學氣相沉積是：在化學氣相沉積中，激發氣體，使其產生低溫等離子體，增強反應物質的化學活性，從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應室內將基體材料置于陰極上，通入反應氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應氣體得到活化，同時基體表面產生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學反應，還存在著復雜的等離子體化學反應。沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下形成的。激發輝光放電的方法主要有：射頻激發，直流高壓激發，脈沖激發和微波激發。真空鍍膜中等離子體增強化學氣相沉積可在較低溫度下形成固體膜。

PECVD（等離子體增強化學氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激發的狀態容易發生反應，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜，可以在器件當中作為鈍化絕緣層，來提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣，氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對器件有一定的要求，因為工藝溫度比較高，所以器件需要耐高溫，高溫烘烤下不能變形。真空鍍膜是一種由物理方法產生薄膜材料的技術。LPCVD真空鍍膜實驗室

真空濺鍍可根據基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆。LPCVD真空鍍膜實驗室

真空鍍膜：真空蒸發鍍膜法：真空蒸發法的原理是：在真空條件下，用蒸發源加熱蒸發材料，使之蒸發或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結晶形成固態薄膜；由于環境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發要比常壓下容易得多。真空蒸發鍍膜是發展較早的鍍膜技術，其特點是：設備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現連續化，應用相當普遍。按蒸發源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發、電子束蒸發、電弧蒸發和激光蒸發等。LPCVD真空鍍膜實驗室

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