美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下:
***部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)-非***品。
第二部分:用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。
第三部分:美國電子工業協會(EIA)注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會(EIA)注冊登記。
第四部分:美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。
第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管,JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。 在半導體器件的海洋中,無錫微原電子科技乘風破浪,勇往直前!通用半導體器件型號
日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個部分,其各部分的符號意義如下:
***部分:用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。
第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大,越是產品。
第五部分: 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。 金山區半導體器件技術努力打造行業里面的榜樣。
導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對,均能自由移動,即載流子,它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流,分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴,電子-空穴對消失,稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射(發光)或晶格的熱振動能量(發熱)。在一定溫度下,電子 - 空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡,此時半導體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時,將產生更多的電子 - 空穴對,載流子密度增加,電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大,實際應用不多。
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新型半導體材料在工業方面的應用越來越多。新型半導體材料表現為其結構穩定,擁有***的電學特性,而且成本低廉,可被用于制造現代電子設備中***使用,我國與其他國家相比在這方面還有著很大一部分的差距,通常會表現在對一些基本儀器的制作和加工上,近幾年來,國家很多的部門已經針對我國相對于其他國家存在的弱勢,這一方面統一的組織了各個方面的群體,對其進行有效的領導,然后共同努力去研制更加高水平的半導體材料。這樣才能夠在很大程度上適應我國工業化的進步和發展,為我國社會進步提供更強大的動力。首先需要進一步對超晶格量子阱材料進行研發。通用半導體器件型號
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