發展史：

1906年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee）發明了真空三極管（電子管）。***代電子產品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期，世界上出現了***塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產品向更小型化發展。集成電路從小規模集成電路迅速發展到大規模集成電路和超大規模集成電路，從而使電子產品向著高效能、低能耗、高精度、高穩定、智能化的方向發展。由于，電子計算機發展經歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術發展的四個階段的特性，所以下面就從電子計算機發展的四個時代來說明電子技術發展的四個階段的特點。 無錫微原科技，讓電子元器件為可穿戴設備賦能。普陀區節能電子元器件

數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量，可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成(MSI)電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成(VLSI)電路和特大規模集成(ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內，或元器件數不超過100個；中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間，或元器件數在100-1000個之間；大規模集成電路包含的門電路在100個以上，或元器件數在1000個以上；超大規模集成電路包含的門電路在1萬個以上；特大規模集成電路包含的門電路在10萬個以上。它包括：基本邏輯門、觸發器、寄存器、譯碼器、驅動器、計數器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。普陀區節能電子元器件無錫微原，用先進工藝制造出高性能的電子元器件。

電解電容器的檢測A 因為電解電容的容量較一般固定電容大得多，所以，測量時，應針對不同容量選用合適的量程。根據經驗，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測量，大于47μF的電容可用R×100擋測量。B 將萬用表紅表筆接負極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬用表指針即向右偏轉較大偏度(對于同一電阻擋，容量越大，擺幅越大)，接著逐漸向左回轉，直到停在某一位置。此時的阻值便是電解電容的正向漏電阻，此值略大于反向漏電阻。實際使用經驗表明，電解電容的漏電阻一般應在幾百kΩ以上，否則，將不能正常工作。在測試中，若正向、反向均無充電的現象，即表針不動，則說明容量消失或內部斷路；如果所測阻值很小或為零，說明電容漏電大或已擊穿損壞，不能再使用。

電位器的檢測。檢查電位器時，首先要轉動旋柄，看看旋柄轉動是否平滑，開關是否靈活，開關通、斷時“喀噠”聲是否清脆，并聽一聽電位器內部接觸點和電阻體摩擦的聲音，如有“沙沙”聲，說明質量不好。用萬用表測試時，先根據被測電位器阻值的大小，選擇好萬用表的合適電阻擋位，然后可按下述方法進行檢測。A 用萬用表的歐姆擋測“1”、“2”兩端，其讀數應為電位器的標稱阻值，如萬用表的指針不動或阻值相差很多，則表明該電位器已損壞。無錫微原電子科技，電子元器件助力智能家電升級。

自20世紀50年代提出集成電路的設想后，由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步，在20世紀60年代研制成功了***代集成電路。在半導體發展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義：它的誕生和發展推動了銅芯技術和計算機的進步，使科學研究的各個領域以及工業社會的結構發生了歷史性變革。憑借優越的科學技術所發明的集成電路使研究者有了更先進的工具，進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現。對電子器件來說，體積越小，集成度越高；響應時間越短，計算處理的速度就越快；傳送頻率就越高，傳送的信息量就越大。半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎，同時也已經發展稱為一個相對**的高科技產業。無錫微原電子，為計算機硬件提供高性能元件。山西自動化電子元器件

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將萬用表置于R×10k擋，一只手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的引出端，另一只手將轉軸緩緩旋動幾個來回，萬用表指針都應在無窮大位置不動。在旋動轉軸的過程中，如果指針有時指向零，說明動片和定片之間存在短路點；如果碰到某一角度，萬用表讀數不為無窮大而是出現一定阻值，說明可變電容器動片與定片之間存在漏電現象。電感器變壓器1 色碼電感器的的檢測 將萬用表置于R×1擋，紅、黑表筆各接色碼電感器的任一引出端，此時指針應向右擺動。根據測出的電阻值大小，可具體分下述三種情況進行鑒別：A 被測色碼電感器電阻值為零，其內部有短路性故障。普陀區節能電子元器件

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