光電池當光線投射到一個PN結上時，由光激發的電子空穴對受到PN結附近的內在電場的作用而向相反方向分離，因此在PN結兩端產生一個電動勢，這就成為一個光電池。把日光轉換成電能的日光電池很受人們重視。較早應用的日光電池都是用硅單晶制造的，成本太高，不能大量推廣使用。國際上都在尋找成本低的日光電池，用的材料有多晶硅和無定形硅等。

其它利用半導體的其他特性做成的器件還有熱敏電阻、霍耳器件、壓敏元件、氣敏晶體管和表面波器件等。

今年是摩爾法則(Moore’slaw)問世50周年，這一法則的誕生是半導體技術發展史上的一個里程碑。這50年里，摩爾法則成為了信息技術發展的指路明燈。計算機從神秘不可近的龐然大物變成多數人都不可或缺的工具，信息技術由實驗室進入無數個普通家庭，因特網將全世界聯系起來，多媒體視聽設備豐富著每個人的生活。這一法則決定了信息技術的變化在加速，產品的變化也越來越快。人們已看到，技術與產品的創新大致按照它的節奏，超前者多數成為先鋒，而落后者容易被淘汰。 有機會去貴司進行參觀學習。雨花臺區節能半導體器件

           空間電荷區：擴散到P區的自由電子與空穴復合，而擴散到N區的空穴與自由電子復合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區出現負離子區，N區出現正離子區，它們是不能移動，稱為空間電荷區。電場形成：空間電荷區形成內電場。空間電荷加寬，內電場增強，其方向由N區指向P區，阻止擴散運動的進行。漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。PN結的形成過程：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發作用下，參與擴散運動的多子數目等于參與漂移運動的少子數目，從而達到動態平衡，形成PN結。電位差：空間電荷區具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。耗盡層：絕大部分空間電荷區內自由電子和空穴的數目都非常少，在分析PN結時常忽略載流子的作用，而只考慮離子區的電荷，稱耗盡層。高淳區半導體器件性能半導體器件行業的挑戰與機遇并存，無錫微原電子科技勇往直前！

     如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此，PN結具有單向導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內部會發生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數量級。

     利用PN結的這些特性在各種應用領域內制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變容二極管、開關二極管、穩壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結特殊效應的隧道二極管，以及沒有PN結的肖脫基二極管和耿氏二極管等。

半導體器件材料和性能？

大多數半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各種半導體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數載流子（N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子）。半導體的整流效應（*在一個方向上通過電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發現的。早期的無線電接收器（礦石無線電）是在方鉛礦晶體的表面上發現的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據說，使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。 祝愿企業生意興隆興旺發達。

本征半導體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運動方向相反。載流子：運載電荷的粒子稱為載流子。導體電的特點：導體導電只有一種載流子，即自由電子導電。本征半導體電的特點：本征半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電。本征激發：半導體在熱激發下產生自由電子和空穴的現象稱為本征激發。復合：自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種現象稱為復合。動態平衡：在一定的溫度下，本征激發所產生的自由電子與空穴對，與復合的自由電子與空穴對數目相等，達到動態平衡。半導體器件行業的新篇章，由無錫微原電子科技來書寫！黃浦區多功能半導體器件

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穩壓二極管型號的后綴。其后綴的***部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，**小數點，字母V之后的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。2、整流二極管后綴是數字，表示器件的比較大反向峰值耐壓值，單位是伏特。3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。雨花臺區節能半導體器件

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