大多數半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各種半導體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數載流子（N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子）。半導體的整流效應（*在一個方向上通過電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發現的。早期的無線電接收器（礦石無線電）是在方鉛礦晶體的表面上發現的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據說，使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。無錫微原電子科技，以匠心獨運打造半導體器件行業的精品力作！安徽什么是半導體器件

     以GaN（氮化鎵）為**的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的**和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極管LED率先實現商品化生產成功開發藍光LED和LD之后，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體芯片設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用于制造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。靜安區推廣半導體器件無錫微原電子科技，以專業精神塑造半導體器件行業的品牌形象！

           空間電荷區：擴散到P區的自由電子與空穴復合，而擴散到N區的空穴與自由電子復合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區出現負離子區，N區出現正離子區，它們是不能移動，稱為空間電荷區。電場形成：空間電荷區形成內電場?？臻g電荷加寬，內電場增強，其方向由N區指向P區，阻止擴散運動的進行。漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。PN結的形成過程：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發作用下，參與擴散運動的多子數目等于參與漂移運動的少子數目，從而達到動態平衡，形成PN結。電位差：空間電荷區具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。耗盡層：絕大部分空間電荷區內自由電子和空穴的數目都非常少，在分析PN結時常忽略載流子的作用，而只考慮離子區的電荷，稱耗盡層。

         載流子的濃度與溫度的關系：溫度一定，本征半導體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電性能變差。結論：本征半導體的導電性能與溫度有關。半導體材料性能對溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導體器件溫度穩定性差的原因。雜質半導體：通過擴散工藝，在本征半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。多數載流子：N型半導體中，自由電子的濃度大于空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。少數載流子：N型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。無錫微原電子科技，半導體器件行業的領航燈塔，照亮前行道路！

穩壓二極管型號的后綴。其后綴的***部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，**小數點，字母V之后的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。2、整流二極管后綴是數字，表示器件的比較大反向峰值耐壓值，單位是伏特。3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。半導體器件行業風云變幻，無錫微原電子科技穩扎穩打，步步為營！濱湖區什么是半導體器件

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    半導體發光二極管半導體發光二極管的結構是一個PN結，它正向通電流時，注入的少數載流子靠復合而發光。它可以發出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導體激光器如果使高效率的半導體發光管的發光區處在一個光學諧振腔內，則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導體激光器或注入式激光器。

   **早的半導體激光器所用的PN結是同質結，以后采用雙異質結結構。雙異質結激光器的優點在于它可以使注入的少數載流子被限制在很薄的一層有源區內復合發光，同時由雙異質結結構組成的光導管又可以使產生的光子也被限制在這層有源區內。因此雙異質結激光器有較低的閾值電流密度，可以在室溫下連續工作。 安徽什么是半導體器件

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