半導體五大特性∶電阻率特性，導電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。共價鍵結構：相鄰的兩個原子的一對**外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構成共價鍵。自由電子的形成：在常溫下，少數的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。電子電流：在外加電場的作用下，自由電子產生定向移動，形成電子電流。空穴電流：價電子按一定的方向依次填補空穴（即空穴也產生定向移動），形成空穴電流。無錫微原電子科技，以專業精神塑造半導體器件行業的品牌形象！普陀區半導體器件發展現狀

        應用策略半導體制冷技術已經廣泛應用在醫藥領域中，工業領域中，即便是日常生活中也得以應用，所以，該技術是有非常重要的發展前景的。例如，將半導體制冷技術用于現代的各種制冷設備中，諸如冰箱、空調等等，都可以配置電子冷卻器。半導體冰箱就是使用了半導體制冷技術。在具體的應用中，可以根據不同客戶的需要使用，以更好地滿足客戶的要求。不同數量的半導體制冷芯片，在連接的過程中可以根據需要采用并聯的方式或串聯的方式，放置在合適的位置就可以發揮作用。二十世紀50年代，前蘇聯開發了一種小型模型冰箱，只有10升的容量，冰箱的體積非常小，使用便利。日本研制出一種冰箱，是專門用于儲存紅酒的。對于溫度要嚴格控制，應用半導體制冷技術就可以滿足冰箱的制冷要求。隨著社會的不斷發展，人們在追求生活質量的同時，對于制冷設備的要求也越來越高。當人們使用半導體冰箱的時候，就會發現這種冰箱比傳統冰箱的耗電量更低一些，甚至可以達到20%，節能效果良好。楊浦區半導體器件發展現狀半導體器件行業的每一次飛躍，都見證著無錫微原電子科技的成長與壯大！

使用半導體空調，與日常生活中使用的空調不同，而是應用于特殊場所中，諸如機艙、潛艇等等。采用相對穩定的制冷技術，不僅可以保證快速制冷，而且可能夠滿足半導體制冷技術的各項要求。一些美國公司發現半導體制冷技術還有一個重要的功能，就是在有源電池中合理應用，就可以確保電源持續供應，可以超過8小時。在汽車制冷設備中，半導體制冷技術也得到應用。包括農業、天文學以及醫學領域，半導體制冷技術也發揮著重要的作用。

  難點以及所存在的問題 ：半導體制冷技術的難點半導體制冷的過程中會涉及到很多的參數，而且條件是復雜多變的。任何一個參數對冷卻效果都會產生影響。實驗室研究中，由于難以滿足規定的噪聲，就需要對實驗室環境進行研究，但是一些影響因素的探討是存在難度的。半導體制冷技術是基于粒子效應的制冷技術，具有可逆性。所以，在制冷技術的應用過程中，冷熱端就會產生很大的溫差，對制冷效果必然會產生影響。 

半導體 -----指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。

分類及性能：

元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領域中應用。硅在半導體工業中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件制作上形成掩膜，能夠提高半導體器件的穩定性，利于自動化工業生產。 祝愿企業生意興隆興旺發達。

有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導帶，通過化學的添加，能夠讓其進入到能帶，這樣可以發生電導率，從而形成有機化合物半導體。這一半導體和以往的半導體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導電性能，應用的范圍比較廣，主要用于有機薄膜、有機照明等方面。

非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態和非晶態主要區別于原子排列是否具有長程序。非晶態半導體的性能控制難，隨著技術的發明，非晶態半導體開始使用。這一制作工序簡單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。 無錫微原電子科技，用專業打造半導體器件行業的精品之作！奉賢區半導體器件設計

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中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。

五個部分意義如下：

***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 普陀區半導體器件發展現狀

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