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河北微流控半導體器件加工工廠

來源: 發布時間:2022年10月11日

射頻MEMS技術傳統上分為固定的和可動的兩類。固定的MEMS器件包括本體微機械加工傳輸線、濾波器和耦合器,可動的MEMS器件包括開關、調諧器和可變電容。按技術層面又分為由微機械開關、可變電容器和電感諧振器組成的基本器件層面;由移相器、濾波器和VCO等組成的組件層面;由單片接收機、變波束雷達、相控陣雷達天線組成的應用系統層面。MEMS工藝以成膜工序、光刻工序、蝕刻工序等常規半導體工藝流程為基礎。硅基MEMS加工技術主要包括體硅MEMS加工技術和表面MEMS加工技術。體硅MEMS加工技術的主要特點是對硅襯底材料的深刻蝕,可得到較大縱向尺寸可動微結構。表面MEMS加工技術主要通過在硅片上生長氧化硅、氮化硅、多晶硅等多層薄膜來完成MEMS器件的制作。利用表面工藝得到的可動微結構的縱向尺寸較小,但與IC工藝的兼容性更好,易與電路實現單片集成。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。河北微流控半導體器件加工工廠

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清洗是半導體制程的重要環節,也是影響半導體器件良率的較重要的因素之一。清洗是晶圓加工制造過程中的重要一環,為了較大限度降低雜質對芯片良率的影響,在實際生產過程中不只需要確保高效的單次清洗,還需要在幾乎所有的制程前后都進行頻繁的清洗,在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關鍵制程工藝中均為必要環節。1.硅片制造過程中,經過拋光處理后的硅片,需要通過清洗過程來確保其表面的平整度和性能,進而提升在后續工藝中的良率。2.晶圓制造過程中,晶圓經過光刻、刻蝕、離子注入、去膠、成膜以及機械拋光等關鍵工序前后都需要進行清洗,以去除晶圓沾染的化學雜質,減少缺陷率,提高良率。3.芯片封裝過程中,芯片需要根據封裝工藝進行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸點底層金屬/薄膜再分布技術)清洗以及健合清洗等。河北微流控半導體器件加工工廠微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。

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MEMS采用類似集成電路(IC)的生產工藝和加工過程,用硅微加工工藝在一硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。使MEMS有極高的自動化程度,批量生產可大幅度降低生產成本;而且地球表層硅的含量為2%。幾乎取之不盡,因此MEMS產品在經濟性方面更具競爭力。MEMS可以把不同功能、不同敏感方向或制動方向的多個傳感器或執行器集成于一體,或形成微傳感器陣列和微執行器陣列。甚至把多種功能的器件集成在一起,形成復雜的微系統。微傳感器、微執行器和微電子器件的集成可制造出高可靠性和穩定性的微型機電系統。

MEMS器件體積小,重量輕,耗能低,慣性小,諧振頻率高,響應時間短。MEMS系統與一般的機械系統相比,不只體積縮小,而且在力學原理和運動學原理,材料特性、加工、測量和控制等方面都將發生變化。在MEMS系統中,所有的幾何變形是如此之小(分子級),以至于結構內應力與應變之間的線性關系(虎克定律)已不存在。MEMS器件中摩擦表面的摩擦力主要是由于表面之間的分子相互作用力引起的,而不是由于載荷壓力引起。MEMS器件以硅為主要材料。硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當。密度類似于鋁,熱傳導率接近銅和鎢,因此MEMS器件機械電氣性能優良。單晶圓清洗取代批量清洗是先進制程的主流,單晶圓清洗通常采用單晶圓清洗設備。

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干法刻蝕種類很多,包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分,干法刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕。介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕,如二氧化硅。干法刻蝕優點是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復性好,細線條操作安全,易實現自動化,無化學廢液,處理過程未引入污染,潔凈度強。干法刻蝕主要形式有純化學過程(如屏蔽式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。表面硅MEMS加工技術利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結構。河北微流控半導體器件加工工廠

半導體芯片封裝是指利用膜技術及細微加工技術。河北微流控半導體器件加工工廠

表面硅MEMS加工技術是在集成電路平面工藝基礎上發展起來的一種MEMS工藝技術。它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結構。表面硅MEMS加工技術的基本思路是:先在基片上淀積一層稱為分離層的材料,然后在分離層上面淀積一層結構層并加工成所需圖形。在結構加工成型后,通過選擇腐蝕的方法將分離層腐蝕掉,使結構材料懸空于基片之上,形成各種形狀的二維或三維結構。表面硅MEMS加工工藝成熟,與IC工藝兼容性好,可以在單個直徑為幾十毫米的單晶硅基片上批量生成數百個MEMS裝置。河北微流控半導體器件加工工廠

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