封裝的分類

1、按封裝集成電路芯片的數目:單芯片封裝(scP)和多芯片封裝(MCP)；

2、按密封材料區分:高分子材料(塑料)和陶瓷；

3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態:單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳；SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP :單列式封裝 SQP:小型化封裝 MCP:金屬罐式封裝 DIP:雙列式封裝 CSP:芯片尺寸封裝QFP: 四邊扁平封裝 PGA:點陣式封裝 BGA:球柵陣列式封裝LCCC: 無引線陶瓷芯片載體 | 無錫微原電子科技，讓芯片技術更加人性化。自動化集成電路芯片扣件

**早的集成電路使用陶瓷扁平封裝，這種封裝很多年來因為可靠性和小尺寸繼續被軍方使用。商用電路封裝很快轉變到雙列直插封裝，開始是陶瓷，之后是塑料。20世紀80年代，VLSI電路的針腳超過了DIP封裝的應用限制，***導致插針網格數組和芯片載體的出現。表面貼著封裝在20世紀80年代初期出現，該年代后期開始流行。它使用更細的腳間距，引腳形狀為海鷗翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）為例，比相等的DIP面積少30-50%，厚度少70%。這種封裝在兩個長邊有海鷗翼型引腳突出，引腳間距為0.05英寸。溧水區集成電路芯片哪家好| 突破技術極限，無錫微原電子科技的芯片產品。

關于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個正方形包含一個小型化的組件。然后，組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網格中。這個想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國陸軍提出的，并導致了短命的小模塊計劃(類似于 1951 年的 Tinkertoy 項目)。[8][9][10]然而，隨著項目勢頭越來越猛，基爾比提出了一個新的**性設計: 集成電路。

1958年7月，德州儀器新雇傭的基爾比記錄了他關于集成電路的**初想法，并于1958年9月12日成功演示了***個可工作的集成示例。[11]1959年2月6日，在他的專利申請中，[12]Kilby將他的新設備描述為“一種半導體材料……其中所有電子電路的組件都是完全集成的。”[13]這項新發明的***個客戶是美國空軍。[14]基爾比贏得了2000年的冠物理諾貝爾獎，為了表彰他在集成電路發明中的貢獻。[15]2009年，他的工作被命名為IEEE里程碑。

型號的分類：

芯片命名方式一般都是：字母+數字+字母前面的字母是芯片廠商或是某個芯片系列的縮寫。像MC開始的多半是摩托羅拉的，MAX開始的多半是美信的。中間的數字是功能型號。像MC7805和LM7805，從7805上可以看出它們的功能都是輸出5V，只是廠家不一樣。后面的字母多半是封裝信息，要看廠商提供的資料才能知道具體字母代表什么封裝。74系列是標準的TTL邏輯器件的通用名稱，例如74LS00、74LS02等等，單從74來看看不出是什么公司的產品。不同公司會在74前面加前綴，例如SN74LS00等。 | 無錫微原電子科技，打造高性能集成電路芯片！

外形及封裝不同芯片是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，并時常制造在半導體晶圓表面上。幾乎所有芯片制造商采用的**常見標準是DIP，即雙列直插式封裝。這定義了一個矩形封裝，相鄰引腳之間的間距為2.54毫米（0.1英寸），引腳排之間的間距為0.1英寸的倍數。因此，0.1"x0.1"間距的標準“網格”可用于在電路板上組裝多個芯片并使它們保持整齊排列。隨著MSI和LSI芯片的出現，包括許多早期的CPU，稍大的DIP封裝能夠處理多達40個引腳的更多數量，而DIP標準沒有真正改變。集成電路是一種微型電子器件或部件。集成電路被放入保護性封裝中，以便于處理和組裝到印刷電路板上，并保護設備免受損壞。存在大量不同類型的包。某些封裝類型具有標準化的尺寸和公差，并已在JEDEC和ProElectron等行業協會注冊。其他類型是可能*由一兩個制造商制造的專有名稱。集成電路封裝是測試和運送設備給客戶之前的***一個組裝過程。| 無錫微原電子科技，專注集成電路芯片研發。青浦區集成電路芯片哪家好

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從20世紀30年代開始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（William Shockley）認為是固態真空管的**可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀40到50年代被系統的研究。盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發光二極管、激光、太陽能電池和比較高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。

半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物***相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。 自動化集成電路芯片扣件

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