VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯,根據公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產品注意事項：l電力半導體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來回滾動涂抹）導熱硅脂，導熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個區域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規定散熱器、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的。若使用條件發生變化(如感性負載)額定電流就會下降。l散熱器與模塊接觸面應平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導，電極與銅排連接時。正高電氣秉承團結、奮進、創新、務實的精神，誠實守信，厚德載物。濟南晶閘管智能模塊供應商

    750V通態平均電流IT（AV）：5A比較大通態電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向導通電壓VTR：<比較大門極觸發電壓VGT:4V比較大門極觸發電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應為5～10Ω。若阻值為零，證明內部二極管短路；電阻為無窮大，說明二極管開路。2．測量正向直流轉折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直流電壓表上讀出V（BO）值。3．檢查觸發能力實例：使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻，同時用讀取電壓法求出出內部二極管的反向導通電壓VTR（實際是二極管正向電壓VF）。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V（BO）值。全部數據整理成表1。由此證明被測RCT質量良好。注意事項：（1）S3900MF的VTR<，宜選R×1檔測量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應遠離發熱元件。青島雙向晶閘管模塊批發正高電氣我們完善的售后服務，讓客戶買的放心，用的安心。

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產生一定的壓降，而壓降的存在則會產生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護作用的模塊。當然，即便模塊帶過熱保護作用，而散熱器和風機也是不可缺少的。在使用中，當散熱條件不符合規定要求時，如室溫超過40℃、強迫風冷的出口風速不足6m/s等，則模塊的額定電流應立即降低使用，否則模塊會由于芯片結溫超過允許值而損壞。譬如。

    硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內的比較大沖擊電流值來表示。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數，標稱電壓值不僅會隨著放電次數增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當大到某一電流時，標稱電壓下降到0，壓敏電阻出現穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。正高電氣材料竭誠為您服務，期待與您的合作！

    六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態平均電壓或通態壓降VT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，當通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發電壓VGT門極觸發VGT，是指在規定的環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的**小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發電流IGT門極觸發電流IGT，是指在規定環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的**小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導通的**小電流。當正向電流小于IH時，導通的晶閘管會自動關斷。(十一)晶閘管斷態重復峰值電流IDR斷態重復峰值電流IDR，是指晶閘管在斷態下的正向比較大平均漏電電流值，一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復峰值電流IRRM反向重復峰值電流IRRM，是指晶閘管在關斷狀態下的反向比較大漏電電流值，一般小于100μA。正高電氣智造產品，制造品質是我們服務環境的決心。吉林單相交流調壓模塊報價

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晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護安裝方便等優點，自誕生以來就受到各大功率半導體制造商的青睞，并得到了極大的發展。

晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問，存在導通角，負載電流具有一定的波動和不穩定因素，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態的好壞直接關系到產品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低，模塊輸出電流越大。因此，在運行中必須配備散熱器和風扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品，有水冷條件的優先采用水冷冷卻。 濟南晶閘管智能模塊供應商

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