可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司品牌價(jià)值不斷提升。浙江快恢復(fù)可控硅模塊配件

可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)

（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要順次固定，用力要均勻，重復(fù)幾回，直至強(qiáng)健，使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。

（2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后，筆直固定于機(jī)箱合適方位。

（3）用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，然后套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上，并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸，阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。  

（4）為延伸商品運(yùn)用壽數(shù)，主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次，替換一次導(dǎo)熱硅脂，鏟除外表塵土，緊固各壓線螺釘。 德州小功率可控硅模塊報(bào)價(jià)淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

單向可控硅的檢測(cè)

  萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G，此時(shí)萬用表指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢(shì)，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度。

可控硅模塊特點(diǎn)：

1 對(duì)耐壓級(jí)別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對(duì)電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對(duì)維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。

5 對(duì)電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。德州小功率可控硅模塊報(bào)價(jià)

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可控硅模塊的特性

單向晶閘管模塊具有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽極連接到反向電壓時(shí)，或陽極連接到正向電壓時(shí)，但控制極不增加電壓，則不會(huì)導(dǎo)通，當(dāng)陽極和控制極同時(shí)連接到正向電壓時(shí)，將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通，控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓，無論控制電壓的極性如何，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉，只能將陽極電壓降到某個(gè)臨界值或反向。

雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當(dāng)電極管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時(shí)）。當(dāng)改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間時(shí)，其接通電流的大小可以改變。 浙江快恢復(fù)可控硅模塊配件

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