這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。

     半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明應用、大功率電源轉換等領域應用。光伏應用半導體材料光生伏***應是太陽能電池運行的基本原理。現階段半導體材料的光伏應用已經成為一大熱門，是目前世界上增長**快、發展比較好的清潔能源市場。太陽能電池的主要制作材料是半導體材料，判斷太陽能電池的優劣主要的標準是光電轉化率，光電轉化率越高，說明太陽能電池的工作效率越高。根據應用的半導體材料的不同，太陽能電池分為晶體硅太陽能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。

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有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導帶，通過化學的添加，能夠讓其進入到能帶，這樣可以發生電導率，從而形成有機化合物半導體。這一半導體和以往的半導體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導電性能，應用的范圍比較廣，主要用于有機薄膜、有機照明等方面。

非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態和非晶態主要區別于原子排列是否具有長程序。非晶態半導體的性能控制難，隨著技術的發明，非晶態半導體開始使用。這一制作工序簡單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。 國產半導體器件無錫微原電子科技，半導體器件行業的創新先鋒，開創美好未來！

        應用策略半導體制冷技術已經廣泛應用在醫藥領域中，工業領域中，即便是日常生活中也得以應用，所以，該技術是有非常重要的發展前景的。例如，將半導體制冷技術用于現代的各種制冷設備中，諸如冰箱、空調等等，都可以配置電子冷卻器。半導體冰箱就是使用了半導體制冷技術。在具體的應用中，可以根據不同客戶的需要使用，以更好地滿足客戶的要求。不同數量的半導體制冷芯片，在連接的過程中可以根據需要采用并聯的方式或串聯的方式，放置在合適的位置就可以發揮作用。二十世紀50年代，前蘇聯開發了一種小型模型冰箱，只有10升的容量，冰箱的體積非常小，使用便利。日本研制出一種冰箱，是專門用于儲存紅酒的。對于溫度要嚴格控制，應用半導體制冷技術就可以滿足冰箱的制冷要求。隨著社會的不斷發展，人們在追求生活質量的同時，對于制冷設備的要求也越來越高。當人們使用半導體冰箱的時候，就會發現這種冰箱比傳統冰箱的耗電量更低一些，甚至可以達到20%，節能效果良好。

          把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數小于 100個的稱為小規模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規模集成電路。集成電路是當前發展計算機所必需的基礎電子器件。許多工業先進國家都十分重視集成電路工業的發展。集成電路的集成度以每年增加一倍的速度在增長。每個芯片上集成256千位的MOS隨機存儲器已研制成功，正在向1兆位 MOS隨機存儲器探索。半導體器件行業的每一次革新，都有無錫微原電子科技的身影！

半導體 -----指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。

分類及性能：

元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領域中應用。硅在半導體工業中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件制作上形成掩膜，能夠提高半導體器件的穩定性，利于自動化工業生產。 以后有相關的業務金蝶找他們。杭州半導體器件技術

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中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。

五個部分意義如下：

***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 國產半導體器件

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