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威海快恢復可控硅模塊報價

來源: 發布時間:2025年01月22日

正高可控硅擁有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優點,受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,正高可控硅以其穩定的性能等特點,應用于各行業,暢銷省內外地區。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機專用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 淄博正高電氣有限公司產品適用范圍廣,產品規格齊全,歡迎咨詢。威海快恢復可控硅模塊報價

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接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。 威海快恢復可控硅模塊報價淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。

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實際上,可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量,因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度(即殼溫Tc)來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,知道了殼溫也就知道了結溫,而相當高殼溫Tc是限定的,由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度(溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置)。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路,分別控制風機的開啟或主回路的通斷(停機),就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。

  需要指出的是,溫控開關測量到的溫度是模塊底板表面的溫度,易受環境、空氣對流的影響,與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc,還有一定的差別(大約低幾度到十幾度),因此其實際控制溫度應低于規定的Tc值。用戶可以根據實際情況和經驗決定控制的溫度。

任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:

1 可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,也可單獨進行,被測減速機在符合規定時,讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度

淄博正高電氣有限公司推行現代化管理制度。

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可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。現在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:首層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。黑龍江快恢復可控硅模塊哪家好

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雙向可控硅晶閘管使用中,應特別注意以下事項:


1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通,但是觸發靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:

(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓,否則控制極將不起作用;

(2)可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取;

(3)為保證控制極可靠觸發,加到控制極的觸發電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側或直流側,當在交流側時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發生在存在電感的電路上,或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。


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