電力電子開關技術領域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術:電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件,如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中,現有的晶閘管*能夠實現單路控制,不利于晶閘管所在電力系統的投切控制。因此,針對上述問題,有必要提出進一步的解決方案。技術實現要素:本發明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現有技術中存在的不足。為實現上述發明目的,本發明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單元包括:壓塊、門極壓接式組件、導電片、第二導電片、瓷板,所述壓塊設置于所述門極壓接式組件上,并通過所述門極壓接式組件對所述導電片、第二導電片、瓷板施加壓合作用力,所述導電片、第二導電片、瓷板依次設置于所述銅底板上;所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊、第二門極壓接式組件、第三導電片、鉬片、銀片、鋁片,所述第二壓塊設置于所述第二門極壓接式組件上。正高電氣為企業打造高水準、高質量的產品。河北蓄電池充放電穩壓模塊
晶閘管模塊的工作條件:
1.當晶閘管模塊承受正向陽極電壓時,只有在門級承受正向電壓時,晶閘管才打開。此時,晶閘管處于正導通狀態,這就是晶閘管的晶閘管特性,即可控特性。
2.晶閘管模塊開著時,只要有一定的正極電壓,不管門級電壓是多少,晶閘管都繼續工作,即晶閘管接通后,門級就失去了功能。門級只會起到觸發的作用。
3.當主電路電壓(或電流)降至接近零時,當主電路電壓(或電流)降為零時,晶閘管模塊被關閉。
4.當晶閘管模塊承受反向陽極電壓時,無論門級承受何種電壓,晶閘管都處于反向閉鎖狀態。在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內,逆變側關短時間采用KK-30微秒以內。 吉林快恢復晶閘管模塊哪家好“質量優先,用戶至上,以質量求發展,與用戶共創雙贏”是正高電氣新的經營觀。
1晶閘管模塊被廣泛應用于工業行業中,對于一些專業的電力技術人員,都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類。不過現在從事這一行的人越來越多,有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經常問起我們晶閘管模塊的來歷。現在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下:2晶閘管模塊誕生后,其結構的改進和工藝的,為新器件的不斷出現提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發成功,應用于調光和馬達控制;1965年,小功率光觸發晶閘管出現,為其后出現的光耦合器打下了基礎;60年代后期,大功率逆變晶閘管問世,成為當時逆變電路的基本元件;1974年,逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應用于交直流調速、調光、調溫等低頻(400Hz以下)領域,運用由它所構成的電路對電網進行控制和變換是一種簡便而經濟的辦法。不過,這種裝置的運行會產生波形畸變和降低功率因數、影響電網的質量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。4雙向晶閘管可視為一對反并聯的普通晶閘管的集成,常用于交流調壓和調功電路中。正、負脈沖都可觸發導通,因而其控制電路比較簡單。其缺點是換向能力差、觸發靈敏度低、關斷時間較長,其水平已超過2000V/500A。
紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發信號,表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通;脫開G極,只要GTO維持通態,就說明被測管具有觸發能力。3.檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負向觸發信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關斷能力。4.估測關斷增益βoff進行到第3步時,先不接入表Ⅱ,記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1;再接上表Ⅱ強迫GTO關斷,記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數;K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是。不需要具體計算IAT、IG之值,只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數,即可迅速估測關斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯(1)在檢查大功率GTO器件時,建議在R×1檔外邊串聯一節′。正高電氣運用高科技,不斷創新為企業經營發展的宗旨。
晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態平均電流IT通態平均電流IT,是指在規定環境溫度和標準散熱條件下,晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結溫下,晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時,允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣公司將以質量的產品,完善的服務與尊敬的用戶攜手并進!濟寧晶閘管模塊報價
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當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化,使得系統來不及轉換,或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類:(1)交流電源接通、斷開產生的過電壓例如,交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓,這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地,開閉速度越快過電壓越高,在空載情況下斷開回路將會有更高的過電壓。。2)直流側產生的過電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時的電流值較大,都會產生比較大的過電壓。這種情況常出現于切除負載、正在導通的晶閘管開路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場合。。河北蓄電池充放電穩壓模塊
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