實際上,可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量,因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度(即殼溫Tc)來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,知道了殼溫也就知道了結溫,而相當高殼溫Tc是限定的,由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度(溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置)。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路,分別控制風機的開啟或主回路的通斷(停機),就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。
需要指出的是,溫控開關測量到的溫度是模塊底板表面的溫度,易受環境、空氣對流的影響,與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc,還有一定的差別(大約低幾度到十幾度),因此其實際控制溫度應低于規定的Tc值。用戶可以根據實際情況和經驗決定控制的溫度。 淄博正高電氣有限公司不斷提高產品的質量。日照高壓可控硅模塊組件
單向可控硅的檢測
萬用表選用電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳,此時黑筆接的引腳為控制極G,紅筆接的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,此時萬用表指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。 日照高壓可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司以***,高質量的產品,滿足廣大新老用戶的需求。
導通角與模塊輸出電流的關系:山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系,模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很小(直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小),但是輸出電流的有效值很大,半導體器件的發熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。
任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:
1 可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。
2 可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。
3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,也可單獨進行,被測減速機在符合規定時,讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度
歡迎各界朋友蒞臨參觀。可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,電流承載能力大,熱循環負載次數是國標的進10倍,焊接工藝獨特,絕緣強度高,導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵,環境溫度范圍-25℃--45℃,下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟: 1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用螺釘把模塊固定于散熱器上,四個螺釘用力要均等。
2、用接線端頭環帶將銅線扎緊,浸錫,套上絕緣熱縮管,用熱風或熱水加熱收縮,導線截面積按電流密度<4A/mm2選取,禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。
3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固,保持良好的平面壓力接觸。
4、可控硅模塊的電極易掀起折斷,接線時應防止重力將電極拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司過硬的產品質量、質量的售后服務、認真嚴格的企業管理,贏得客戶的信譽。日照高壓可控硅模塊組件
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正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極:一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。 日照高壓可控硅模塊組件
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