場效應管注意事項：（1）結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。（2）焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。（3）用25W電烙鐵焊接時應迅速，若用45～75W電烙鐵焊接，應用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結型場效應管可用表電阻檔定性地檢查管子的質量（檢查各PN結的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時，則應先短路再取下，關鍵在于避免柵極懸空。場效應管也可以用作開關，可以控制電路的通斷。南京MOS場效應管制造商

下面對MOS失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區引起失效，分為Id超出器件規格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。無錫P溝道場效應管現貨直發場效應管的主要作用是在電路中放大或開關信號，用于控制電流或電壓。

對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。3.場效應管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應管是由多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。

漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現預夾斷，如圖2(b)所示。再繼續增大vDS，夾斷點將向源極方向移動，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進入飽和區，iD幾乎只由vGS決定。在開關電路中，場效應管可以實現快速的開關操作，普遍應用于數字電路和電源控制中。

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名，場效應管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結型場效應管），1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。選型場效應管時需考慮工作頻率、功率需求等因素。南京MOS場效應管制造商

場效應管的發展趨勢是向著高集成度、低功耗、高可靠性和多功能化方向發展。南京MOS場效應管制造商

對于開關頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多，且所需驅動功率增大，UC3724和UC3725芯片發熱溫升較高，故100kHz以上開關頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅動電路。該電路具有以下特點：單電源工作，控制信號與驅動實現隔離，結構簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。來看這個電路，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大，R113控制柵極的常態，將R113上拉為高，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信號的上拉，當MCU內部管腳并沒有上拉時，即輸出為開漏時，并不能驅動PMOS關閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。南京MOS場效應管制造商