計算導通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜 式設計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數變化可在制造商提供的技術資料表中查到。計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全余量，能 確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及較大的結溫。開關損耗其實也是一個很重要的指標。從下圖可以看到，導通瞬間的電壓電流乘積相當大。一定程度上決定了器件的開關性能。不過，如果系統對開關性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。JFET是一種可用作功率放大器或開關的場效應管。上海絕緣柵場效應管市場價格

場效應管主要參數：場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但普通運用時主要關注以下一些重點參數：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。上海耗盡型場效應管制造場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動，具有與電阻不同的工作方式。

眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結構特點:頭一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，然后垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作恒流源。五、場效應管可以用作電子開關。場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發了。場效應管是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。場效應管又是單極型晶體管，即導電過程中幾乎只有一種載流子運動，類似金屬導電。場效應管的優勢在于低噪聲、高放大倍數和低失真，適用于高要求的音頻放大電路中。

開關時間：場效應管從完全關閉到完全導通（或相反）所需的時間。柵極驅動電路的設計對開關時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關時間，此外，器件的物理結構，也會影響開關速度。典型應用電路：開關電路：開關電路是指用于控制場效應管開通和關斷的電路。放大電路：場效應管因其高輸入阻抗和低噪聲特性，常用于音頻放大器、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開關電源中，場效應管用于控制能量的存儲和釋放，實現高效的電壓轉換。場效應管的體積小，適合集成在微型電子設備中。無錫單極型場效應管加工

場效應管具有高頻響應特性，適用于高頻、高速電路，如雷達、衛星通信等。上海絕緣柵場效應管市場價格

MOSFET管基本結構與工作原理：mos管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型。本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述。MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；電極 G（Gate） 稱為柵極，相當于的基極；電極 S（Source）稱為源極，相當于發射極。上海絕緣柵場效應管市場價格