可控硅模塊的出現已經歷史悠久,它的出現也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優勢,使可控硅模塊在電氣行業中非常的受歡迎,下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現在電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
可控硅模塊的優點體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優點,因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,并因此得到長足發展。 淄博正高電氣有限公司堅持“顧客至上,合作共贏”。濟寧高壓可控硅模塊組件
雙向可控硅晶閘管使用中,應特別注意以下事項:
1.靈敏度
雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通,但是觸發靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的。
2.可控硅過載的保護
可控硅元件優點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:
(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓,否則控制極將不起作用;
(2)可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取;
(3)為保證控制極可靠觸發,加到控制極的觸發電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側或直流側,當在交流側時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發生在存在電感的電路上,或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。
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可控硅模塊在應用電路中的作用體現在:
可控整流器:如二極管整流器,交流整流器整流為直流,在交流電壓不變的情況下,可有效控制直流輸出電壓,實現交流/直流的轉換。
無觸點電源靜態開關(固態開關):晶閘管模塊作為電源開關元件,可在開關頻率較高的場合替代接觸器和繼電器。
因此,可控硅模塊普遍應用于各種電子設備和電子產品中,如可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。晶閘管模塊廣泛應用于家用電器的工業控制領域,如調光燈、調速風扇、空調、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、語音控制電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、玩具裝置等。電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等領域都大量的使用了可控硅模塊。
可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機專用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創輝煌。
選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。
所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態平均電流)均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。
可控硅模塊的正向壓降、門極觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路(指門極的控制電路)的各頂要求,不能偏高或偏低,否則會影響可控硅模塊的正常工作。
上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇,希望對您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司團結、創新、合作、共贏。濟寧高壓可控硅模塊組件
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可控硅模塊規格的選擇方法:考慮到可控硅產品一般為非正弦電流,存在導通角問題,負載電流存在一些波動和不穩定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。
推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>K×I負載×U∕U實際
K :安全系數,阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2;
I負載:負載流過的強大電流; U實際:負載上的小電壓;
U強大 模塊能輸出的強大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規格均為1.0倍);
I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 濟寧高壓可控硅模塊組件
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