可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作，設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產品數據表給定的額定結溫淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。聊城雙向可控硅模塊

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數有：

(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。 聊城雙向可控硅模塊淄博正高電氣有限公司以質量求生存，以信譽求發展！

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環負載次數是國標的進10倍，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵，環境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風或熱水加熱收縮，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電極易掀起折斷，接線時應防止重力將電極拉起折斷。

可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調節和改變電能的場合，如工業、通信、電力系統、電力系統等及其它各種電控、電源等，根據此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩定、電壓穩定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門**的學科。

可控硅模塊發展到現在，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。 淄博正高電氣有限公司過硬的產品質量、質量的售后服務、認真嚴格的企業管理，贏得客戶的信譽。

雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。

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可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。

 由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

  由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化 聊城雙向可控硅模塊

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