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東營大功率可控硅模塊價格

來源: 發布時間:2024年07月24日

可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等?,F在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:首層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創輝煌。東營大功率可控硅模塊價格

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過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化,使系統轉換太晚,或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現,由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。


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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。

在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱點:靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。

可控硅模塊規格的選擇方法:考慮到可控硅產品一般為非正弦電流,存在導通角問題,負載電流存在一些波動和不穩定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>K×I負載×U∕U實際

K :安全系數,阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2;

I負載:負載流過的強大電流; U實際:負載上的小電壓;

U強大 模塊能輸出的強大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司誠信、盡責、堅韌。

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可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調節和改變電能的場合,如工業、通信、電力系統、電力系統等及其它各種電控、電源等,根據此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩定、電壓穩定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發展,并已形成了一門獨立的學科。

可控硅模塊發展到現在,在工藝上已經非常成熟,品質更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發展。 淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。濟南高壓可控硅模塊

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可控硅模塊特點:

1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM。

3 對通態電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態所必 需的極小主電流,它與結溫有關,結溫越高,則IH越小。

5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 東營大功率可控硅模塊價格

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