硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。正高電氣迎接挑戰(zhàn)，推陳出新，與廣大客戶攜手并進，共創(chuàng)輝煌！連云港電磁吸盤晶閘管智能模塊

    它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強型的區(qū)別在感性負載的場合，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時，由于電流、電壓的相位不一致，將產(chǎn)生一個很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時關(guān)斷，甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài)，只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響，由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高，因此在感性或容性負載場合宜選取增強型LSR。㈣繼電器負載輸出端電流等級及型號如下表：電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強型15A增強型35A型號LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強型50A增強型70A增強型90A。連云港電磁吸盤晶閘管智能模塊正高電氣愿與各界朋友攜手共進，共創(chuàng)未來！

    簡稱過零型）和隨機導(dǎo)通型（簡稱隨機型）；按輸出開關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯(lián)型（增強型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍，驅(qū)動電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc，專用于隨機型LSR；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號方式不同，過零型和隨機型之間的區(qū)別主要在于負載交流電流導(dǎo)通的條件不同。當(dāng)輸入端施加有效的控制信號時，隨機型LSR負載輸出端立即導(dǎo)通（速度為微秒級），而過零型LSR則要等到負載電壓過零區(qū)域(約±15V)時才開啟導(dǎo)通。當(dāng)輸入端撤消控制信號后，過零型和隨機型LSR均在小于維持電流時關(guān)斷，這兩種類型的關(guān)斷條件相同。雖然過零型LSR有可能造成比較大半個周期的延時，但卻減少了對負載的沖擊和產(chǎn)生的射頻干擾，在負載上可以得到一個完整的正弦波形，成為理想的開關(guān)器件，在“單刀單擲”的開關(guān)場合中應(yīng)用最為。隨機型LSR的特點是反應(yīng)速度快。

    )=174A-232A顯然，通過以上的計算對于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630；NBK-630；WSM-630焊機應(yīng)選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當(dāng)然，焊機可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關(guān)外，與以下因素還有一定的關(guān)系：2焊機暫載率即額定負荷工作持續(xù)率（FS）：根據(jù)焊機行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)此類焊機暫載率一般為：35%；60%；。其定義如下：暫載率FS=負載滿負荷持續(xù)運行時間（t）/[負載滿負荷持續(xù)運行時間+休止時間]x=t/Tx上式中T為焊機的工作周期，它是負荷持續(xù)運行和休止時間之和。我國焊機行業(yè)規(guī)定，手工氬弧焊時T為5分鐘；自動氬弧焊時T為10分鐘；即工作6分鐘，休息4分鐘。2散熱條件：以上計算均是在假設(shè)散熱條件足夠的情況下考慮的。如果散熱條件發(fā)生變化，對模塊的選型要求可適當(dāng)增大或減小。l其它線路焊機對模塊的選型：對于使用在三相半控全橋整流線路中的模塊MTY；MDG，如下圖，對器件通流能力要求更高，同等輸出電流的情況下，該線路中的器件通過的電流是雙反星并聯(lián)線路中的兩倍；但對耐壓的要求低一倍。實例：已知條件：Id=630A;空載電壓:100V1、器件耐壓（VRRM。正高電氣秉承團結(jié)、奮進、創(chuàng)新、務(wù)實的精神，誠實守信，厚德載物。

    壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。我公司的電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC，MFC，MDC，MDQ，MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。正高電氣公司依托便利的區(qū)位和人才優(yōu)勢。連云港電磁吸盤晶閘管智能模塊

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    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。連云港電磁吸盤晶閘管智能模塊

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