真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點，特別適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對被鍍材料的污染，達到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達到極高的溫度，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M行快速蒸發(fā)。這對于保證膜的成分，防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發(fā)鍍的缺點是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高，所以它的應用范圍有一定的限制，導致其在工業(yè)中的普遍應用有一定的限制。真空濺鍍的鍍層可通過調(diào)節(jié)電流大小和時間來壘加，但不能太厚，一般厚度在0.2~2um。淮安真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜有很多種方式。按電極結(jié)構(gòu)、電極相對位置以及濺射的過程,可以分為二極濺射、三極或四極濺射、磁控濺射、對向靶濺射、和ECR濺射。除此之外還根據(jù)制作各種薄膜的要求改進的濺射鍍膜技術(shù)。比較常用的有:在Ar中混入反應氣體如O2、N2、CH4、C2H2等,則可制得鈦的氧化物、氮化物、碳化物等化合物薄膜的反應濺射。在成膜的基板上施加直到500V的負電壓,使離子轟擊膜層的同時成膜,由此改善膜層致密性的偏壓濺射。淮安真空鍍膜工藝流程真空鍍膜技術(shù)有真空濺射鍍膜。

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物理的氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理的氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理的氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜和分子束外延等。相應的真空鍍膜設備包括真空蒸發(fā)鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機。

真空鍍膜：技術(shù)原理：濺射鍍膜基本原理：充氬（Ar）氣的真空條件下，使氬氣進行輝光放電，這時氬（Ar）原子電離成氬離子（Ar），氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在l0-2Pa～10Pa范圍，所以濺射出來的粒子在飛向基體過程中，易和真空室中的氣體分子發(fā)生碰撞，使運動方向隨機，沉積的膜易于均勻。離子鍍基本原理：在真空條件下，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子，同時產(chǎn)生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。真空鍍膜機壓鑄技術(shù)用于生產(chǎn)鋁、鎂、鋅、銅基合金鑄件，在機械制造行業(yè)應用已有多年的歷史。

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)是真空蒸鍍的一種方式，它是在鎢絲蒸發(fā)的基礎上發(fā)展起來的。電子束是一種高速的電子流。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜的一種，是在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的物質(zhì)放置于水冷的坩堝中，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜，同時在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個坩堝，實現(xiàn)同時或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物質(zhì)。通過電子束蒸發(fā)，任何材料都可以被蒸發(fā)。真空鍍膜離子鍍中不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。淮安真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜技術(shù)四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應用。淮安真空鍍膜工藝流程

原子層沉積技術(shù)憑借其獨特的表面化學生長原理、亞納米膜厚的精確控制性以及適合復雜三維高深寬比表面沉積，自截止生長等特點，特別適合薄層薄膜材料的制備。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸鹽（ODPA）對Cu的選擇性吸附，在預先吸附有ODPA分子的襯底表面進行ALD沉積Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉積，從而得到被高k絕緣材料Al2O3所間隔的空間選擇性暴露表面Cu的薄膜材料。此外，電鏡照片表明該沉積方法的區(qū)域選擇性得到了有效保證。淮安真空鍍膜工藝流程