真空鍍膜：近些年來出現的新方法：除蒸發法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優缺點，取長補短，發展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術結合了蒸發鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優點。高效率等離子體濺射(HighTargetUtilizationPlasmaSputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統。這種離子體源裝置在真空室的側面。該等離子體束在電磁場的作用下被引導到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現高效可控的等離子體濺射。等離子體發生裝置與真空室的分離設計是實現濺射工藝參數寬范圍可控的關鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應用能確定工藝參數較優化。與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環不同，HiTUS系統由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現各個方面積均勻。真空鍍膜過程可以實現連續化。平頂山真空鍍膜廠家

原子層沉積技術和其他薄膜制備技術。與傳統的薄膜制備技術相比，原子層沉積技術優勢明顯。傳統的溶液化學方法以及濺射或蒸鍍等物理方法（PVD）由于缺乏表面控制性或存在濺射陰影區，不適于在三維復雜結構襯底表面進行沉積制膜。化學氣相沉積（CVD）方法需對前驅體擴散以及反應室溫度均勻性嚴格控制，難以滿足薄膜均勻性和薄厚精確控制的要求。相比之下，原子層沉積技術基于表面自限制、自飽和吸附反應，具有表面控制性，所制備薄膜具有優異的三維共形性、大面積的均勻性等特點，適應于復雜高深寬比襯底表面沉積制膜，同時還能保證精確的亞單層膜厚控制。因此，原子層沉積技術在微電子、能源、信息等領域得到應用。平頂山真空鍍膜廠家真空濺射是徹底的環保制程，一定環保無污染。

磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射，同時使用多個靶電源和不同靶材，例如TiW合金，通過單獨調整Ti、W的濺射速率，同時開始濺射2種材料，則在襯底上可以形成Ti/W合計，對不同材料的速率進行調節，即能滿足不同組分的要求.磁控濺射由于其內部電場的存在，還可在襯底端引入一個負偏壓，使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結構的阻擋層和種子層，通過對相關參數的調整和引入負偏壓，可以實現高深寬比的薄膜濺射，且深孔內壁薄膜連續和良好的均勻性

真空鍍膜：離子鍍特點：離子鍍是物理的氣相沉積方法中應用較普遍的一種鍍膜工藝。離子鍍的基本特點是采用某種方法（如電子束蒸發磁控濺射，或多弧蒸發離化等）使中性粒子電離成離子和電子，在基體上必須施加負偏壓，從而使離子對基體產生轟擊，適當降低負偏壓后使離子進而沉積于基體成膜，適用于高速鋼工具，熱鍛模等材料的表面處理過程。離子鍍的優點如下：膜層和基體結合力強，反應溫度低。膜層均勻，致密。在負偏壓作用下繞鍍性好。無污染。多種基體材料均適合于離子鍍。真空鍍膜技術首先用于生產光學鏡片。

電子束蒸發是基于鎢絲的蒸發。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲（位于沉積區域外以避免污染）并將其加熱到發生電子熱離子發射的點。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發材料（放置在坩堝中）。在電子束撞擊蒸發丸表面的過程中，其動能轉化為熱量，釋放出高能量（每平方英寸數百萬瓦以上）。因此，容納蒸發材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發設備結構簡單，成本低廉，而且可以蒸發高熔點材料，在蒸鍍合金時可以實現快速蒸發，避免合金的分餾，其鍍膜質量也可以達到較高水平，可以廣泛應用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學材料表面鍍膜，是一種可易于實現大批量生產的成熟鍍膜技術。真空鍍膜中離子鍍清洗效果極好，能使鍍層直接貼近基體。平頂山真空鍍膜廠家

真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞以及高壓電場后，高速沖向工件。平頂山真空鍍膜廠家

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。同時，物理的氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下?；瘜W氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。平頂山真空鍍膜廠家