真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積（PVD）技術和化學氣相沉積（CVD）技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。真空鍍膜中離子鍍的鍍層組織致密、無小孔、無氣泡、厚度均勻。遵義真空鍍膜

真空鍍膜：技術原理：濺射鍍膜基本原理：充氬（Ar）氣的真空條件下，使氬氣進行輝光放電，這時氬（Ar）原子電離成氬離子（Ar），氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在l0-2Pa～10Pa范圍，所以濺射出來的粒子在飛向基體過程中，易和真空室中的氣體分子發生碰撞，使運動方向隨機，沉積的膜易于均勻。離子鍍基本原理：在真空條件下，采用某種等離子體電離技術，使鍍料原子部分電離成離子，同時產生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。遵義真空鍍膜在建筑和汽車玻璃上使用真空電鍍設備技術，鍍涂一層TiO2就能使其變成防霧、防露和自清潔玻璃。

電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，跟常規金屬蒸鍍，蒸鍍方式需有所蓋上。根據之前的鍍膜經驗，需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以采用材料薄片來蒸鍍，如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，材料只能通過坩堝邊沿來導熱，減緩散熱速率，有利于達到蒸發的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。

真空鍍膜：電子束蒸發是真空蒸鍍的一種方式，它是在鎢絲蒸發的基礎上發展起來的。電子束是一種高速的電子流。電子束蒸發是真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。電子束蒸發法是真空蒸發鍍膜的一種，是在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料，使蒸發材料氣化并向基板輸運，在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的物質放置于水冷的坩堝中，可避免蒸發材料與坩堝壁發生反應影響薄膜的質量，因此，電子束蒸發沉積法可以制備高純薄膜，同時在同一蒸發沉積裝置中可以安置多個坩堝，實現同時或分別蒸發，沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發，任何材料都可以被蒸發。真空鍍膜機的優點:具有較佳的金屬光澤，光反射率可達97%。

真空鍍膜：電阻加熱蒸發法：電阻加熱蒸發法就是采用鎢、鉬等高熔點金屬，做成適當形狀的蒸發源，其上裝入待蒸發材料，讓電流通過，對蒸發材料進行直接加熱蒸發，或者把待蒸發材料放入坩鍋中進行間接加熱蒸發。利用電阻加熱器加熱蒸發的鍍膜設備構造簡單、造價便宜、使用可靠，可用于熔點不太高的材料的蒸發鍍膜，尤其適用于對膜層質量要求不太高的大批量的生產中。目前在鍍鋁制品的生產中仍然大量使用著電阻加熱蒸發的工藝。電阻加熱方式的缺點是：加熱所能達到的較高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國內外已采用壽命較長的氮化硼合成的導電陶瓷材料作為加熱器。真空鍍膜的操作規程：易燃有毒物品要妥善保管，以防失火中毒。遵義真空鍍膜

真空鍍膜機在集成電路制造中的應用：晶體管路中的保護層、電極管線等多是采用CVD技術。遵義真空鍍膜

真空鍍膜：等離子體鍍膜：在物理的氣相沉積中通常采用冷陰極電弧蒸發，以固體鍍料作為陰極，采用水冷使冷陰極表面形成許多亮斑，即陰極弧斑。弧斑就是電弧在陰極附近的弧根。在真空條件下，用引弧針引弧，使真空金壁(陽極)和鍍材(陰極)之間進行弧光放電，陰極表面快速移動著多個陰極弧斑，不斷迅速蒸發甚至“異華”鍍料，使之電離成以鍍料為主要成分的電弧等離子體，并能迅速將鍍料沉積于基體。在極小空間的電流密度極高，弧斑尺寸極小，估計約為1μm～100μm，電流密度高達105A/cm2～107A/cm2。遵義真空鍍膜

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