真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。真空電鍍工藝中，ABS、PC以及TPU等材質的使用較為普遍，但如果在注塑成型的過程中素材表面有脫模劑等油污的話，在真空電鍍之后罩UV光油時，表面會出現油點、油窩以及油斑等不良缺陷。真空鍍膜是一種由物理方法產生薄膜材料的技術，在真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項技術首先用于生產光學鏡片，如航海望遠鏡鏡片等；后延伸到其他功能薄膜，唱片鍍鋁、裝飾鍍膜和材料表面改性等，如手表外殼鍍仿金色，機械刀具鍍膜，改變加工紅硬性。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空濺鍍的鍍層可通過調節電流大小和時間來壘加，但不能太厚，一般厚度在0.2~2um。南通UV真空鍍膜

所謂的原子層沉積技術，是指通過將氣相前驅體交替脈沖通入反應室并在沉積基體表面發生氣固相化學吸附反應形成薄膜的一種方法。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續化學反應的薄膜形成技術。化學氣相沉積：1個是分類的（CVD的化學氣相沉積）。在許多情況下，ALD是使用兩種稱為前體的化學物質執行的。每種前體以連續和自我控制的方式與物體表面反應。通過依次重復對每個前體的曝光來逐漸形成薄膜。ALD是半導體器件制造中的重要過程，部分設備也可用于納米材料合成。南通UV真空鍍膜真空鍍膜機大功率脈沖磁控濺射技術的脈沖峰值功率是普通磁控濺射的100倍，在1000~3000W/cm2范圍。

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質薄膜，在微納加工當中用于結構層材料、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內，影響其沉積反應的主要參數是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因為在低壓環境下，反應氣體的平均自由程及擴散系數變大，膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。

真空蒸發鍍膜是在真空室中，加熱蒸發容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。真空蒸發鍍膜法，設備比較簡單、容易操作、制成的薄膜純度高、質量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定溫度下，在真空當中，蒸發物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發物表面液相、氣相處于動態平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數相等。物質的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大，在一定溫度下，各種物質的飽和蒸氣壓不相同，且具有恒定的數值。相反，一定的飽和蒸氣壓必定對應一定的物質的溫度。真空鍍膜的操作規程：在離子轟擊和蒸發時，應特別注意高壓電線接頭，不得觸動，以防觸電。

磁控濺射由于其優點應用日趨增長,成為工業鍍膜生產中主要的技術之一,相應的濺射技術與也取得了進一步的發展。非平衡磁控濺射改善了沉積室內等離子體的分布,提高了膜層質量;中頻和脈沖磁控濺射可有效避免反應濺射時的遲滯現象,消除靶中毒和打弧問題,提高制備化合物薄膜的穩定性和沉積速率;改進的磁控濺射靶的設計可獲得較高的靶材利用率;高速濺射和自濺射為濺射鍍膜技術開辟了新的應用領域，具有誘人的成膜效率和經濟效益，實驗簡單方便。真空鍍膜有離子鍍形式。南通UV真空鍍膜

真空鍍膜技術首先用于生產光學鏡片。南通UV真空鍍膜

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發源蒸鍍技術是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發出高能量的激光束,經聚焦照射到鍍料上,使之受熱氣化。激光器可置于真空室外,避免了蒸發器對鍍材的污染,使膜層更純潔。同時聚焦后的激光束功率很高,可使鍍料達到極高的溫度,從而蒸發任何高熔點的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬時蒸發,從而獲得成分均勻的薄膜。真空蒸鍍法具有設備簡單,節約金屬原材料,沉積Ti金屬及其氧化物、合金鍍層等,表面附著均勻,生產周期短,對環境友好,可大規模生產等突出優點。南通UV真空鍍膜

廣東省科學院半導體研究所位于長興路363號，交通便利，環境優美，是一家服務型企業。公司致力于為客戶提供安全、質量有保證的良好產品及服務，是一家****企業。公司業務涵蓋微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務，價格合理，品質有保證，深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導體所順應時代發展和市場需求，通過**技術，力圖保證高規格高質量的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務。