可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調節和改變電能的場合，如工業、通信、電力系統、電力系統等及其它各種電控、電源等，根據此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩定、電壓穩定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門**的學科。

可控硅模塊發展到現在，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本，以質量服務求生存。福建雙向可控硅模塊配件

可控硅元件在電氣設備中發揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運行環境和相關指標，防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用。對此，在選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數有：

(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。 淄博正高電氣有限公司銳意進取，持續創新為各行各業提供專業化服務。

選擇可控硅模塊時不能只看表面，應參考實際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環境條件:

(1)強迫風冷：風速≥6m/s，風溫≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和負冷環境溫度—40℃—40℃.水冷以環境溫度5℃—40℃；

(4)空氣相對濕度≤85%；

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；

(6)氣壓86—106Kpa；

(7)無劇烈震動或沖擊；

(8)若有特殊場合，應進行相應的試驗，證明工作可靠方可使用。 淄博正高電氣有限公司周邊生態環境狀況好。福建雙向可控硅模塊配件

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單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。 福建雙向可控硅模塊配件

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