工研所研發的QPQ技術，其工藝溫度設定巧妙地低于鋼的相變溫度，這意味著在處理過程中，金屬的內部組織結構不會發生改變，從而避免了組織應力的產生。相較于那些會引發組織轉變的常規熱處理工藝，如淬火、高頻感應淬火以及滲碳淬火，QPQ技術所帶來的工件變形要小得多。這一特性使得QPQ技術在處理精密零部件時具有明顯的優勢。在進行QPQ處理時，為了確保處理效果并減小工件的形狀變化，桿軸件或板件必須垂直裝卡，以保證處理的均勻性。預熱階段，應緩慢熱透工件，必要時還可以采用隨爐升溫預熱的方式，以進一步減小熱應力對工件的影響。在氧化工序結束后，為了讓工件能夠更穩定地定型，可將其冷卻到接近室溫后再進行清洗。這一系列精細的操作步驟，都是為了確保QPQ處理后的工件能夠保持原有的形狀精度，滿足高精度零部件的制造要求。QPQ表面處理可以改善刀具的表面光潔度，減少切削時的摩擦阻力。齒輪QPQ化合物層

磷化處理時通過在金屬表面形成一層磷化物膜來防止金屬與外界環境中的氧氣、水和其它化學物質接觸，從而提高金屬的耐腐蝕性能。然而磷化處理過程可能會產生一些有害物質，例如廢水和廢氣中的重金屬離子和硝酸鹽，這對環境造成一定的污染。工研所QPQ技術是一種熱處理表面改性技術，在工藝上是熱處理技術和防腐技術的復合，在滲層組織上是氮化物層和氧化物層的復合，在滲層性能上是耐磨性和防腐性的復合。經過硫酸銅溶液腐蝕、露天放置以及鹽霧試驗進行耐蝕性能的比較，發現經過工研所QPQ處理的工件耐蝕性更優，同時工研所QPQ技術在生產過程中產生的廢氣、廢水、廢渣經處理后均滿足國家標準。微變形QPQ抗拉強度經過QPQ表面處理的刀具具有更好的熱穩定性。

鍍鉻工藝是一種傳統的表面改性技術，不僅能有效提高金屬的硬度、防腐性能，還能對損傷的零件進行修補矯正。但是鍍鉻在操作過程中容易產生劇毒六價鉻的酸霧和廢水，不僅對環境有害，而且嚴重危害人體健康。盡管采用三價鉻電鍍液可以取代六價鉻溶液，然而三價鉻電鍍工藝仍然存在鍍層薄、質量差、鍍液成分復雜、穩定性差等缺點。工研所的QPQ表面復合處理技術與鍍鉻相比，QPQ具有更出色的耐磨性和耐腐蝕性，而且沒有氫脆的風險。與傳統的氮化工藝相比，QPQ可提供更深的擴散層并提高耐腐蝕性。同樣應用于表面強化的QPQ鹽浴復合處理技術，在金屬表面可形成具有耐磨防腐的滲層，該工藝綠色環保，鹽溶液采用無毒的氰酸鹽作為滲劑，有效地解決了污染問題，實現了工藝過程無毒廢水零排放。如今工研所QPQ技術具有高硬度、高耐磨性、微變形、抗疲勞等優點，已具備了代替鍍鉻技術的成熟條件。

工研所QPQ處理以后一般情況下工件表面粗糙度都稍有變化，即變得稍粗糙一些，但這種變化對絕大多數機械零件或機械產品來說是比較小的，既不影響使用，也不影響美觀，因此一般零件都把QPQ處理技術作為結束的一道工序，即以后不再作任何加工或處理。一般來說零件的原始表面粗糙度值越大，則QPQ處理后表面粗糙度變化越小，反之，零件的原始表面粗糙度值越小，這種影響越大。當工件表面粗糙度大到一定值以后，處理后工件表面粗糙度變化越小，當零件表面粗糙度值達到15μm時，則幾乎對表面粗糙度沒有影響。QPQ表面處理是一種經濟高效的刀具表面改性方法。

工研所低溫QPQ處理技術在航空航天、新能源等高精尖領域應用廣，該技術在可以提升硬度的同時幾乎不破壞其耐腐蝕性以及極小的變形，對于密封圈、墊圈等變形尺寸要求高的零件，該工藝是較好的選擇。常規QPQ氮化工藝處理溫度通常在500℃以上，這樣會造成一些回火或調質溫度低的碳鋼或合金鋼的心部硬度降低，從而影響其零件的整體性能，如抗拉強度等。奧氏體不銹鋼由于含碳量很低，無法通過相變進行強化，常規的QPQ技術雖然可以大幅度提高其耐磨性能，但由于溫度過高，導致CrN的大量析出，嚴重損害了不銹鋼的耐蝕性能。當采用較低的溫度來處理時，可以在奧氏體不銹鋼表面生成“S”相，在不降低耐蝕性能的同時大幅度提高其耐磨性能。有些高速鋼、模具鋼等零件采用現有QPQ處理后會出現化合物層崩缺的現象，因此不敢長時間進行氮化處理，但當處理溫度降低以后，隨著氮原子的活性降低，化合物形成需要的時間更長，可以進行更長的氮化處理以提高擴散層的深度。QPQ表面處理可以改善刀具的表面光潔度。QPQ抗拉強度

經過QPQ表面處理的刀具具有更好的切削穩定性和切削精度。齒輪QPQ化合物層

成都工具研究所有限公司的QPQ鹽浴復合處理技術發展于上世紀80年代，不僅一舉打破國際壟斷，而且在環保方面達到了國際先進水平，成為國內擁有QPQ技術的公司。QPQ技術是一種可以同時大幅度提高金屬耐磨性和耐蝕性的表面改性技術，在工藝上是熱處理技術和防腐技術的復合，在滲層組織上是氮化物層和氧化物層的復合，在滲層性能上是耐磨性和防腐性的復合。該工藝主要應用在黑色金屬的防腐抗蝕，硬度提升，耐磨性提升等性能需求，同時，QPQ不會明顯改變零件尺寸，因此非常適合公差要求嚴格的零件。齒輪QPQ化合物層