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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025年02月08日

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殘余應(yīng)力分析::在DIFFRAC.LEPTOS中,使用sin2psi法,用Cr輻射進(jìn)行測量,對鋼構(gòu)件的殘余應(yīng)力進(jìn)行分析。使用了2D檢測器的μXRD:使用DIFFRAC.EVA,測定小區(qū)域結(jié)構(gòu)特性。通過積分2D圖像,進(jìn)行1D掃描,來進(jìn)行定性相分析和微觀結(jié)構(gòu)分析。定性相分析:候選材料鑒別(PMI)為常見,這是因?yàn)槠鋵υ咏Y(jié)構(gòu)十分靈敏,而這無法通過元素分析技術(shù)實(shí)現(xiàn)。高通量篩選(HTS):在DIFFRAC.EVA中,進(jìn)行半定量分析,以現(xiàn)實(shí)孔板上不同相的濃度。非環(huán)境XRD:在DIFFRAC.WIZARD中配置溫度曲線并將其與測量同步,然后可以在DIFFRAC.EVR中顯示結(jié)果。小角X射線散射(SAXS):在DIFFRAC.SAXS中,對EIGER2R500K通過2D模式手機(jī)的NISTSRM80119nm金納米顆粒進(jìn)行粒度分析。江蘇BRUKERXRD衍射儀哪里好在DIFFRAC.LEPTOS中,對多層樣品的薄膜厚度、界面粗糙度和密度進(jìn)行XRR分析。

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淀粉結(jié)晶度測定引言淀粉結(jié)晶度是表征淀粉顆粒結(jié)晶性質(zhì)的一個重要參數(shù),也是表征淀粉材料類產(chǎn)品性質(zhì)的重要參數(shù),其大小直接影響著淀粉產(chǎn)品的應(yīng)用性能、淀粉材料的物理和機(jī)械性能。X射線衍射法(XRD)加全譜擬合法測定淀粉顆粒結(jié)晶度常用的方法之一。結(jié)晶度對于含有非晶態(tài)的聚合物,其散射信號來源于兩部分:晶態(tài)的衍射峰和非晶態(tài)漫散峰。那么結(jié)晶度DOC則定義為晶態(tài)衍射峰面積與總散射信號面積的比值。采用了開放式設(shè)計(jì)并具有不受約束的模塊化特性的同時(shí),將用戶友好性、操作便利性以及安全操作性發(fā)揮得淋漓盡致,這就是布魯克DAVINCI設(shè)計(jì)

汽車和航空航天:配備了UMC樣品臺的D8D的一大優(yōu)勢就是可以對大型機(jī)械零件進(jìn)行殘余應(yīng)力和結(jié)構(gòu)分析以及殘余奧氏體或高溫合金表征。半導(dǎo)體與微電子:從過程開發(fā)到質(zhì)量控制,D8D可以對亞毫米至300mm大小的樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。制藥業(yè)篩選:新結(jié)構(gòu)測定以及多晶篩選是藥物開發(fā)的關(guān)鍵步驟,對此,D8D具有高通量篩選功能。儲能/電池:使用D8D,您將能在原位循環(huán)條件下測試電池材料,直接了當(dāng)?shù)墨@取不斷變化的儲能材料的晶體結(jié)構(gòu)和相組方面的信息。從微米到納米厚度的涂層或外延膜的樣品都受益,用于評估晶體質(zhì)量、薄膜厚度、成分外延排列和應(yīng)變松弛技術(shù)。

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定性相分析和結(jié)構(gòu)測定 微米應(yīng)變和微晶尺寸分析 應(yīng)力和織構(gòu)分析 粒度和粒度分布測定 微米大小X射線束局部分析。x射線

RuO2薄膜掠入射XRD-GID引言薄膜材料就是厚度介于一個納米到幾個微米之間的單層或者多層材料。由于厚度比較薄,薄膜材通常依附于一定的襯底材料之上。常規(guī)的XRD測試,X射線的穿透深度一般在幾個微米到幾十個微米,這遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于薄膜的厚度,導(dǎo)致薄膜的信號會受到襯底的影響(圖1)。另外,如果衍射簡單較高,那么X射線只能輻射到部分樣品,無法利用整個樣品的體積,衍射信號弱。薄膜掠入射衍射(GID:GrazingIncidenceX-RayDiffraction)很好的解絕了以上問題。所謂掠入射是指使X射線以非常小小的入射角(<5°)照射到薄膜上,小的入射角大大減小了在薄膜中的穿透深度,同時(shí)增加衍射顆粒的數(shù)目和x射線在薄膜中的光程。這里有兩點(diǎn)說明:GID需要硬件配置;常規(guī)GID只適合多晶薄膜和非晶薄膜,不適合單晶外延膜。x射線

標(biāo)簽: XRD衍射儀 顯微CT
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