高純水又名超純水，是指化學(xué)純度極高的水，其主要應(yīng)用在生物、化學(xué)化工、冶金、宇航、電力等領(lǐng)域，但其對(duì)水質(zhì)純度要求相當(dāng)高，所以一般應(yīng)用**普遍的還是電子行業(yè)。在超純水設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程中，水中的陰陽(yáng)離子可用電滲析法、反滲透法及離子交換技術(shù)等去除，水中的顆粒一般可用超過(guò)濾、膜過(guò)濾等技術(shù)去除;水中的細(xì)菌，目前國(guó)內(nèi)多采用加藥或紫外燈照射或臭氧殺菌的方法去除;水中的TOC則一般用活性炭、反滲透處理。在高純水的應(yīng)用領(lǐng)域中，水的純度直接關(guān)系到器件的性能、可靠性，因此高純水要求具有相當(dāng)高的純度和精度。    超純水設(shè)備廠(chǎng)家選碩科，主要生產(chǎn)工業(yè)反滲透超純水設(shè)備。無(wú)錫RO超純水設(shè)備

    鋰電池行業(yè)用超純水包括蓄電池生產(chǎn)用超純水，鋰電池生產(chǎn)用超純水，太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用超純水，蓄電池格板用超純水。電池中電解液的配備對(duì)純水要求十分嚴(yán)格,通常要求水的電導(dǎo)率在（電阻率在10兆歐姆）以上，傳統(tǒng)用來(lái)制備電池用超純水的工藝是常采用陰陽(yáng)樹(shù)脂交換設(shè)備，該工藝的缺點(diǎn)在于陰陽(yáng)樹(shù)脂在使用一段時(shí)間以后要經(jīng)常再生。隨著工業(yè)膜分離技術(shù)的不斷成熟，現(xiàn)在常常采用反滲透膜法水處理工藝，或者是采用一級(jí)反滲透后面再經(jīng)過(guò)離子交換混床（或電去離子EDI）工藝來(lái)制取超純水。本純水系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)合化工行業(yè)用純水的要求，制定適合在鋰電池行業(yè)使用的純水系統(tǒng)。鋰電池行業(yè)制備超純水的工藝大致分成以下幾種工藝：1、采用離子交換方式流程如下：市政自來(lái)水→源水增壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂交換床→陰樹(shù)脂交換床→混合樹(shù)脂膠換床→微孔過(guò)濾器→超純水用水點(diǎn)2、采用反滲透+混床方式流程如下：市政自來(lái)水→源水增壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透主機(jī)→中間水箱→增壓泵→混床→微孔過(guò)濾器→超純水用水。 常熟涂裝行業(yè)超純水設(shè)備碩科是超純水設(shè)備制造、安裝、調(diào)試及GMP驗(yàn)證文件一體的廠(chǎng)家。

    EDI超純水設(shè)備污染判斷及8種清洗方法。雖然EDI超純水設(shè)備膜塊的進(jìn)水條件在很大的程度上減少了膜塊內(nèi)部阻塞的機(jī)會(huì)，但是隨著設(shè)備運(yùn)行時(shí)間的延展，EDI膜塊內(nèi)部水道還是有可能產(chǎn)生阻塞，這主要是EDI進(jìn)水中含有較多的溶質(zhì)，在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進(jìn)水中含有大量的鈣鎂離子（硬度超過(guò)）、CO2和較高的PH值，將會(huì)加快沉淀的速度。遇到這種情況，我們可以通過(guò)化學(xué)清洗的方法對(duì)EDI膜塊進(jìn)行清洗，使之恢復(fù)到原來(lái)的技術(shù)特性。通常判斷EDI膜塊被污染堵塞可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行評(píng)估判定：1、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下，進(jìn)水側(cè)與產(chǎn)水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高45%。2、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下，濃水進(jìn)水側(cè)與濃水排水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高45%。3、在進(jìn)水溫度、流量及電導(dǎo)率不變的情況下，產(chǎn)水水質(zhì)（電阻率）明顯下降。4、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下，濃水排水流量下降35%。膜塊堵塞的原因主要有下面幾種形式：1、顆粒/膠體污堵2、無(wú)機(jī)物污堵3、有機(jī)物污堵4、微生物污堵EDI清洗注意：在清洗或消毒之前請(qǐng)先選擇合適的化學(xué)藥劑并熟悉安全操作規(guī)程，切不可在組件電源沒(méi)有切斷的狀態(tài)下進(jìn)行化學(xué)清洗。

    EDI超純水設(shè)備7大性能優(yōu)勢(shì)。全自動(dòng)雙級(jí)反滲透+EDI+拋光混床是當(dāng)今比較多的超純水處理技術(shù)，而EDI是超純水制取設(shè)備中的總要組成部分。到目前為止，還是有少許的廠(chǎng)家還使用混床制取超純水，混床超純水設(shè)備的優(yōu)勢(shì)就是前期投資少，除此之外，無(wú)法與EDI超純水設(shè)備的突出性能優(yōu)勢(shì)相比較。為了讓用戶(hù)更簡(jiǎn)單明了的知道EDI超純水設(shè)備系統(tǒng)的好處優(yōu)勢(shì)，碩科環(huán)保為您解析EDI超純水設(shè)備7大性能優(yōu)勢(shì)。一、無(wú)化學(xué)污染持續(xù)的樹(shù)脂電解再生使得無(wú)需腐蝕性很強(qiáng)的化學(xué)品；如果前級(jí)RO系統(tǒng)運(yùn)作正常，則極少需要清洗。如異常E-Cell的內(nèi)部設(shè)計(jì)足以應(yīng)付周期性的化學(xué)清洗；E-Cell消除了對(duì)腐蝕性化學(xué)品再生裝備的資金投入。如：合金伐門(mén)、管道、水泵、化學(xué)藥品儲(chǔ)存設(shè)備等相關(guān)部件，省卻了這些部分的安裝、更新、維護(hù)的費(fèi)用。 工業(yè)超純水設(shè)備主要用在哪些行業(yè)？

    半導(dǎo)體、電子行業(yè)是目前世界上要求非常高標(biāo)準(zhǔn)的超純水設(shè)備用戶(hù)。超純水制造技術(shù)的發(fā)展極大地推動(dòng)了半導(dǎo)體和電子工業(yè)的技術(shù)進(jìn)度。同時(shí)半導(dǎo)體、電子工業(yè)的迅速發(fā)展促進(jìn)了超純水制造技術(shù)裝備的發(fā)展。目前使用很多的制水工藝：（RO）反滲透+（EDI）電去離子工藝。（RO）反滲透+混床工藝。產(chǎn)水符合電子工業(yè)用水(水質(zhì)符合美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)，電子部超純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)（18MΩ*cm，15MΩ*cm，12MΩ*cm和Ω*cm四級(jí))。電子超純水設(shè)備應(yīng)用范圍。半導(dǎo)體工業(yè)用超純水、彩色顯像管用高純水、集成電路、精細(xì)化工、實(shí)驗(yàn)室。半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線(xiàn)路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的純水、高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，線(xiàn)寬越窄，對(duì)水質(zhì)的要求也越高。目前我國(guó)電子工業(yè)部把電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)分為五個(gè)行業(yè)等級(jí)，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、Ω.cm，以區(qū)分不同水質(zhì)。 碩科生產(chǎn)超純水設(shè)備產(chǎn)品性能好，質(zhì)量可靠。無(wú)錫RO超純水設(shè)備

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多晶硅超純水設(shè)備主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會(huì)導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于去除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無(wú)機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來(lái)的油脂或纖維。無(wú)機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電,顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機(jī)膠體纖維等，會(huì)導(dǎo)致各種缺陷。針對(duì)多晶硅加工工藝需求和當(dāng)?shù)厮辞闆r，可采用工藝流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工藝流程，碩科環(huán)保采用國(guó)內(nèi)先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，確保系統(tǒng)設(shè)備產(chǎn)水達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。 無(wú)錫RO超純水設(shè)備