肖特基二極管的動態電阻是其重要參數之一,反映了器件在小信號變化下的電阻特性。動態電阻越小,器件在小信號下的響應越靈敏,電壓變化對電流的影響越小。動態電阻受工作電流、溫度等因素影響。工作電流增大時,勢壘...
占據全球 90% 市場份額的硅二極管,憑借 1.12eV 帶隙與成熟的平面鈍化工藝,成為通用。典型如 1N4007(1A/1000V)整流管,采用玻璃鈍化技術將漏電流控制在 0.1μA 以下,在全球超...
1958 年,德州儀器工程師基爾比完成歷史性實驗:將鍺二極管、電阻和電容集成在 0.8cm2 鍺片上,制成首塊集成電路(IC),雖 能實現簡單振蕩功能,卻證明 “元件微縮化” 的可行性。1963 年,...
MOSFET在工業機器人的人機交互系統中有著重要應用。人機交互系統使操作人員能夠與機器人進行實時溝通和協作,提高生產效率和安全性。MOSFET用于人機交互設備的信號處理和顯示控制電路,確保人機交互信號...
在電子競技的電競桌領域,穩壓二極管為桌面的燈光、充電等功能模塊提供穩定的電壓。電競桌需要提供舒適的使用環境和個性化的功能設置,對電源的穩定性和兼容性要求極高。電壓波動可能導致功能模塊工作異常、設備損壞...
在電子競技的電競桌領域,穩壓二極管為桌面的燈光、充電等功能模塊提供穩定的電壓。電競桌需要提供舒適的使用環境和個性化的功能設置,對電源的穩定性和兼容性要求極高。電壓波動可能導致功能模塊工作異常、設備損壞...
在電子競技的電競鍵盤配件領域,穩壓二極管為各種配件如鍵帽、手托等的驅動和控制模塊提供穩定的電壓。電競鍵盤配件需要提供舒適的使用體驗和個性化的功能調節,對電源的穩定性和兼容性要求極高。電壓波動可能導致配...
MOSFET在智能穿戴設備的運動分析功能中發揮著重要作用。智能穿戴設備能夠通過對人體運動數據的分析,為用戶提供運動建議和健康指導。MOSFET用于運動分析算法的實現和數據處理電路,確保運動分析的準確性...
高頻二極管(>10MHz):通信世界的神經突觸 GaAs PIN 二極管(Cj<0.2pF)在 5G 基站 28GHz 毫米波電路中,插入損耗<1dB,切換速度達 1ns,用于相控陣天線的信號路徑切換...
工業自動化的加速推進,要求工業設備具備更高的穩定性、精確性與智能化水平,這為二極管創造了大量應用機遇。在工業控制系統中,隔離二極管用于防止信號干擾,確保控制指令準確傳輸;在電機調速系統中,快恢復二極管...
工業制造:高壓大電流的持續攻堅 6kV/50A 高壓硅堆由 30 個以上硅二極管串聯而成,采用陶瓷封裝與玻璃鈍化工藝,耐受 100kA 瞬時浪涌電流,用于工業 X 射線機時可提供穩定的高壓直流電源。快...
航空航天領域對電子元器件的性能、可靠性與穩定性有著極為嚴苛的要求,二極管作為基礎元件,其發展前景同樣廣闊。在飛行器的電子控制系統中,耐高溫、抗輻射的二極管用于保障系統在極端環境下的正常運行;在衛星通信...
1947 年是顛覆性轉折點:貝爾實驗室的肖克利團隊研制出鍺點接觸型半導體二極管,采用金觸絲壓接在鍺片上形成結面積 0.01mm2 的 PN 結,無需加熱即可實現電流放大(β 值達 20),體積較真空...
碳化硅(SiC):3.26eV 帶隙與 2.5×10? V/cm 擊穿場強,使 C4D201(1200V/20A)等器件在光伏逆變器中效率突破 98%,較硅基方案體積縮小 40%,同時耐受 175℃高...
PN 結是二極管的結構,其單向導電性源于載流子的擴散與漂移運動。當 P 型(空穴多)與 N 型(電子多)半導體結合時,交界處形成內建電場(約 0.7V 硅材料),阻止載流子進一步擴散。正向導通時(P ...
0.66eV 帶隙使鍺二極管導通電壓低至 0.2V,結電容可小至 0.5pF,曾是高頻通信的要點。2AP9 檢波管在 AM 收音機中解調 535-1605kHz 信號時,失真度<3%,其點接觸型結構通...