PN 結是二極管的結構，其單向導電性源于載流子的擴散與漂移運動。當 P 型（空穴多）與 N 型（電子多）半導體結合時，交界處形成內建電場（約 0.7V 硅材料），阻止載流子進一步擴散。正向導通時（P 接正、N 接負），外電場削弱內建電場，空穴與電子大量穿越結區，形成低阻通路，硅管正向壓降約 0.7V，電流與電壓呈指數關系（I=I S(e V/V T?1)，VT≈26mV）。反向截止時（P 接負、N 接正），外電場增強內建電場，少數載流子（P 區電子、N 區空穴）形成漏電流（硅管＜1μA），直至反向電壓達擊穿閾值（如 1N4007 耐壓 1000V）。此特性使 PN 結成為整流、開關等應用的基礎，例如 1N4148 開關二極管利用 PN 結電容充放電，實現 4ns 級快速切換。發光二極管把電能高效轉化為光能，以絢麗多彩的光芒，點亮了照明、顯示與指示等諸多領域。嘉定區LED發光二極管歡迎選購

1904 年，英國物理學家弗萊明為解決馬可尼無線電報的信號穩定性問題，發明首只電子二極管 “熱離子閥”。這一玻璃真空管內，加熱的陰極發射電子，經陽極電場篩選后形成單向電流，雖效率低下（ 5%）且體積龐大（長 15 厘米），卻標志著人類掌握電流單向控制的重要技術。1920 年代，美國科學家皮卡德發現方鉛礦晶體的整流特性，催生 “貓須探測器”—— 通過細金屬絲與礦石接觸形成 PN 結，雖需手動調整觸絲位置（精度達 0.1mm），卻讓收音機成本從數百美元降至十美元，成為大眾消費品。樂山穩壓二極管咨詢報價硅二極管以良好的熱穩定性和較高的反向擊穿電壓，成為眾多電路的可靠選擇。

5G 通信網絡的大規模建設與普及，為二極管帶來了廣闊的應用前景。5G 基站設備對高頻、高速、低功耗的二極管需求極為迫切。例如，氮化鎵（GaN）二極管憑借其的電子遷移率和高頻性能，在 5G 基站的射頻前端電路中，可實現高效的信號放大與切換，大幅提升基站的信號處理能力與覆蓋范圍。同時，5G 通信的高速數據傳輸需求，使得高速開關二極管用于信號調制與解調，保障數據傳輸的穩定性與準確性。隨著 5G 網絡向偏遠地區延伸以及與物聯網的深度融合，對二極管的需求將持續攀升，推動其技術不斷革新，以滿足更復雜、更嚴苛的通信環境要求。

1960 年代，砷化鎵（GaAs）PIN 二極管憑借 0.5pF 寄生電容和 10GHz 截止頻率，成為雷達接收機的關鍵元件 —— 在 AN/APG-66 機載雷達中，GaAs PIN 二極管組成的開關矩陣可在微秒級切換信號路徑，實現對 200 個目標的同時跟蹤。1980 年代，肖特基勢壘二極管（SBD）將混頻損耗降至 6dB 以下，在衛星電視調諧器（C 波段 4GHz）中實現低噪聲信號轉換，使家庭衛星接收成為可能。1999 年，氮化鎵（GaN）異質結二極管問世，其 1000V 擊穿電壓和 0.2pF 寄生電容，在基站功放模塊中實現 100W 射頻功率輸出，效率達 75%（硅基 50%）。 5G 時代，二極管面臨更高挑戰：28GHz 毫米波場景中，傳統硅二極管的結電容（＞1pF）導致信號衰減超 30dB，而 GaN 開關二極管通過優化勢壘層厚度（5nm），將寄生電容降至 0.15pF，配合相控陣天線實現 ±60° 波束掃描，信號覆蓋范圍擴大 5 倍。發光二極管電光轉換高效，點亮照明與顯示領域。

檢波二極管利用 PN 結的非線性伏安特性，從高頻載波中提取低頻信號。當調幅波作用于二極管時，正向導通期間電流隨電壓非線性變化，反向截止時電流為零，經濾波后可分離出調制信號。鍺材料二極管（如 2AP9）因導通電壓低（0.2V）、結電容小，適合解調中波廣播信號（535-1605kHz），失真度低于 5%。混頻則是利用兩個高頻信號在非線性結區產生新頻率分量，例如砷化鎵肖特基二極管在 5G 基站的 28GHz 頻段可實現低損耗混頻，幫助處理毫米波信號，變頻損耗低于 8 分貝。有機發光二極管柔韌性好，為可折疊、可彎曲的顯示設備帶來無限可能。嘉定區工業二極管價目表

功率二極管在工業電焊機中承受大電流與浪涌沖擊，保障焊接過程穩定高效進行。嘉定區LED發光二極管歡迎選購

發光二極管基于半導體的電致發光效應，當 PN 結正向導通時，電子與空穴在結區復合，釋放能量并以光子形式發出。半導體材料的帶隙寬度決定發光波長：例如砷化鎵（帶隙較窄）發紅光，氮化鎵（帶隙較寬）發藍光。通過熒光粉轉換技術（如藍光激發黃色熒光粉）可實現白光發射，光效可達 150 流明 / 瓦（遠超白熾燈的 15 流明 / 瓦）。量子阱結構通過限制載流子運動范圍，將復合效率提升至 80% 以上，倒裝焊技術則降低熱阻，延長壽命至 5 萬小時。Micro-LED 技術將芯片尺寸縮小至 10 微米級，像素密度可達 5000PPI，推動超高清顯示技術發展。嘉定區LED發光二極管歡迎選購