8月6日消息 今天上午三星宣布開始大規模生產新型250GB SATA固態硬盤(SSD)，集成了三星的第六代256Gb 3-bit V-NAND。

　　三星稱，利用“通道孔蝕刻”技術，新的V-NAND比之前的90+層單堆疊結構增加了約40%的層數，達到了136層。

　　隨著每個單元堆疊高度的增加，NAND閃存芯片更容易出現錯誤和讀取延遲。為了克服這種局限性，三星重新進行電路設計，使它獲得最快的數據傳輸速度，低于450微秒(μs)寫操作和低于45μs讀取延遲。與上一代相比，這意味著性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。

　　三星表示，憑借高速和低功耗的特點，三星不僅計劃將其3D V-NAND擴展到下一代移動設備和企業服務器等領域，還計劃進軍高可靠性極其關鍵的汽車市場。

　　繼今天推出250GB SSD之后，三星計劃在今年下半年推出搭載512Gb單元的3bit V-NAND SSD和eUFS。