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上海氧化石墨烯制造

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024年10月05日

利用石墨烯的納米效應(yīng),將石墨烯和其他材料制備成復(fù)合薄膜也是石墨烯應(yīng)用到熱管理中的途徑之一。如中科院陳成猛團(tuán)隊(duì)[58]制備出一種柔性的石墨烯-碳纖維復(fù)合膜散熱片,結(jié)果表明其熱導(dǎo)率達(dá)到977W/(m·K),其熱傳遞的效果好于銅。**科大[59]制備出三維的石墨烯-碳納米環(huán)薄膜,其熱導(dǎo)率可達(dá)946W/(m·K)。浙江大學(xué)高超團(tuán)隊(duì)[60]報(bào)道了一種快速濕紡組裝(wet-spinningassembly)的方法制備石墨烯薄膜,其熱導(dǎo)率達(dá)530~810W/(m·K)。可見,將石墨烯和其他材料制備成復(fù)合薄膜,復(fù)合薄膜的石墨烯防腐漿料可與基體材料進(jìn)行復(fù)合,從而賦予該材料導(dǎo)電、導(dǎo)熱、機(jī)械增強(qiáng)的性能。上海氧化石墨烯制造

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智能手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備的普及為人們的生活帶來了極大的便利。但是,其中的高速處理器等電子組件會(huì)產(chǎn)生不良的電磁能量,這不僅會(huì)損害電子組件自身的使用壽命、干擾其他組件的功能,還會(huì)對(duì)人體健康帶來危害。石墨烯薄膜具有優(yōu)異的電學(xué)性能及熱學(xué)性能,被認(rèn)為是相當(dāng)有發(fā)展前景的超薄電磁屏蔽材料。鄭**教授團(tuán)隊(duì)[56]通過蒸發(fā)自組裝法制備了大面積GO薄膜。經(jīng)過石墨化處理后,所得石墨烯薄膜具有出色的性能,其電磁屏蔽性能和面內(nèi)熱導(dǎo)率分別可達(dá)20dB、1100WFengW等人通過疊層熱壓技術(shù)成功制備了含有石墨烯納米片(GNP)和Ni納米鏈的復(fù)合膜(HAMS)。通過將Ni納米鏈和GNP選擇性地分布在不同的層中,其比較好電導(dǎo)率、屏蔽效果和面內(nèi)熱導(dǎo)率分別可以達(dá)到76.8Sm'51.4dB和8.96WH1-1K-1。上海氧化石墨烯制造氧化石墨烯可如同界面活性劑一般存在界面,并降低界面間的能量。其親水性被認(rèn)知。

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在聲學(xué)領(lǐng)域,利用石墨烯材料極低的質(zhì)量密度、極薄的厚度以及極高的機(jī)械強(qiáng)度的優(yōu)異特性,其可作為振膜應(yīng)用于發(fā)聲器件中,可獲得優(yōu)異的頻譜特性。第六元素研發(fā)的石墨烯振膜,經(jīng)過客戶測(cè)試,該石墨烯發(fā)聲器件具有非常好的頻譜特性,保真度高。溶劑剝離法的原理是將少量的石墨分散于溶劑中,形成低濃度的分散液,利用超聲波的作用破壞石墨層間的范德華力,此時(shí)溶劑可以插入石墨層間,進(jìn)行層層剝離,制備出石墨烯。此方法不會(huì)像氧化-還原法那樣破壞石墨烯的結(jié)構(gòu),可以制備高質(zhì)量的石墨烯。在氮甲基吡咯烷酮中石墨烯的產(chǎn)率比較高(大約為8%),電導(dǎo)率為6500S/m。研究發(fā)現(xiàn)高定向熱裂解石墨、熱膨脹石墨和微晶人造石墨適合用于溶劑剝離法制備石墨烯。溶劑剝離法可以制備高質(zhì)量的石墨烯,整個(gè)液相剝離的過程沒有在石墨烯的表面引入任何缺陷,為其在微電子學(xué)、多功能復(fù)合材料等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了廣闊的應(yīng)用前景。缺點(diǎn)是產(chǎn)率很低。

石墨烯是碳材料家族的新成員,它是由碳原子以sp2雜化軌道組成的只具有一個(gè)原子層厚度的單層片狀結(jié)構(gòu)材料。同碳納米管一樣,石墨烯也以其諸多優(yōu)點(diǎn)而被廣泛的應(yīng)用于儲(chǔ)能電池領(lǐng)域:(1)石墨烯具有極高的比表面積,其理論值高達(dá)2600m2/g[16],這使得石墨烯基復(fù)合電極有著很好的電解液相容性;(2)石墨烯的電導(dǎo)率遠(yuǎn)超其他碳材料,以石墨烯為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的復(fù)合電極材料可以發(fā)揮優(yōu)異的倍率性能;(3)石墨烯衍生物如氧化石墨烯(GO)與還原氧化石墨烯(RGO)上含有的大量官能團(tuán)與缺陷位可以作為多種金屬及金屬氧化物納米粒子的生長(zhǎng)位點(diǎn)。這種由石墨烯矩陣組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)可以有效的抑制納米電極材料在充放電過程中的團(tuán)聚現(xiàn)象及電極巨大的體積變化,從而增強(qiáng)電極材料的容量保持率與循環(huán)穩(wěn)定性。第六元素石墨烯產(chǎn)品品種多。

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化學(xué)氣十日沉干jI法制備三維石烯的j制箭烯卡¨似,以甲烷為碳源.氧氣和氬氣為輔助怵,泡沫過渡金屬底l-2h:積基形狀類似的泡沫狀烯,利川劃蝕液將冷卻后帶底的f器烯泡沫中的坫劃腳ifb:.從mj火僻九支撐構(gòu)架的j維石烯泡沫。(、h{21]等利ff】化學(xué)氣相沉I法分)j』J平f1l曲泡沫鎳底f:.制舒r具有三維連通絡(luò)納fjlJ的鞋烯泡沫材料。研究發(fā)現(xiàn).石墨烯泡沫完整地制色!淋J的納構(gòu).以尢縫連接的力‘式卡勾成r全連通的體.仃低J奠、大扎隙率、高比表面積和優(yōu)異的電荷他能力等特點(diǎn)。Wu等利用該方法也成功制備J,氮摻雜維r烯泡沫..此外.利用這種方法還能獲得各種具有優(yōu)砰特性的維r烯泡沫。。Iiu等以泡沫Ni為呔.通過化學(xué)卡¨fjl成功制備rJfj于*胚抗原檢測(cè)的大孔維烯泡沫。氧化石墨烯還可以應(yīng)用于鋰電正負(fù)極材料的復(fù)合、催化劑負(fù)載等。常規(guī)氧化石墨烯水處理

石墨烯導(dǎo)電漿料中分散有少層石墨烯,可以作為電池正極導(dǎo)電劑。上海氧化石墨烯制造

在用氧化還原法將石墨剝離為石墨烯的工業(yè)化生產(chǎn)過程中,得到的石墨烯微片富含多種含氧官能團(tuán)。由于石墨烯片層上的這些缺陷,在一些情況下,石墨烯微片無法滿足某些復(fù)合材料在抗靜電或?qū)щ姟⒏魺峄驅(qū)岬确矫娴奶厥庖蟆榱诵迯?fù)石墨烯片層上的缺陷,提高石墨烯微片的碳含量和在導(dǎo)電、導(dǎo)熱等方面的性能。通過調(diào)控氧化石墨烯的結(jié)構(gòu),降低氧化程度,降低難分解的芳香族官能團(tuán),如內(nèi)酯、酮羰基、羧基等官能團(tuán)的含量,從而增加后續(xù)官能團(tuán)分解的效率和降低分解溫度。調(diào)控氧化條件,減少面內(nèi)大面積反應(yīng)。該減少缺陷的方案,有助于提升還原效率,減少面內(nèi)難以修復(fù)的孔洞,使碳原子排布更密集,進(jìn)一步減少修復(fù)段的勢(shì)壘,將能量用于增加碳原子離域尺寸,提升晶元大線,從而提升還原石墨烯的本征導(dǎo)電性。研發(fā)了深度還原技術(shù),并通過自主開發(fā)的還原設(shè)備,將石墨烯微片碳的質(zhì)量分?jǐn)?shù)提高到90%以上;且粉末電導(dǎo)率相比還原前提升20倍,達(dá)到了4000S/m以上。上海氧化石墨烯制造

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