電子產品**率密度的迅速提高使得如何有效排熱成為能量存儲技術快速發展的關鍵問題，其中，在熱源和散熱器之間使用的熱界面材料（ＴＩＭ）是熱管理系統的重要因素。ＴＩＭ用于將熱管理系統中的兩種固體材料連接起來，填充它們之間因表面粗糙度不理想而產生的空隙和凹槽，從而起到減小界面熱阻、降低集成電路的平均溫度和熱點溫度的作用。目前**普遍的ＴＩＭ是由填充導熱材料的復合材料組成，但是隨著電子產品微型化、集成化的發展，隨之而來的對小型、柔初且高效散熱ＴＩＭ的需求已經超出了目前ＴＩＭ的能力。因此，人們己經對具有高熱導率、高機械性能的石墨烯／聚合物復合材料、石墨烯涂層等熱管理材料的開發進行了***的研宄。石墨薄片層可以經機械剝離剝離為氧化石墨烯。氧化石墨烯生產

自碳納米管(CNTs)在1991年被Iijima報道以來［10］，這種具有一維納米尺寸的管狀碳材料以其獨特的力學、電學、熱學及光學特性，在電極材料、醫學、儲氫裝置和催化劑等諸多領域［11～13］得到了廣泛的應用。鋰離子電池領域是碳納米管相當有潛力的應用方向之一。首先，碳納米管自身就是一種***的鋰離子電池負極材料;其次，碳納米管尤其是使用化學氣相沉積技術制備的定向生長的三維碳納米管陣列具備優異的機械強度，并且由于其獨特的彈道電子傳導效應及抗電遷移能力，其電導率可高達105S/m［14］。將其作為三維導電結構或導電添加劑加入到其他電極材料之中，不但可提高復合電極的電子與離子傳輸能力，還可***增強電極的機械性能。氧化石墨烯項目石墨烯漿料穩定性較好，加入活性材料易于電池混漿。

氧化石墨烯的研究熱潮也吸引了國內外材料植被研究的興趣，石墨烯材料的制備方法已報道的有：機械剝離法、化學氧化法、晶體外延生長法、化學氣相沉積法、有機合成法和碳納米管剝離法等。1、微機械剝離法2004年，Geim等***用微機械剝離法，成功地從高定向熱裂解石墨上剝離并觀測到單層石墨烯。Geim研究組利用這一方法成功制備了準二維石墨烯并觀測到其形貌，揭示了石墨烯二維晶體結構存在的原因。微機械剝離法可以制備出高質量石墨烯，但存在產率低和成本高的不足，不滿足工業化和規模化生產要求，目前只能作為實驗室小規模制備。2、化學氣相沉積法化學氣相沉積法(ChemicalVaporDeposition，CVD)***在規模化制備石墨烯的問題方面有了新的突破。CVD法是指反應物質在氣態條件下發生化學反應,生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面，進而制得固體材料的工藝技術。麻省理工學院的Kong等、韓國成均館大學的Hong等和普渡大學的Chen等在利用CVD法制備石墨烯。他們使用的是一種以鎳為基片的管狀簡易沉積爐，通入含碳氣體，如：碳氫化合物，它在高溫下分解成碳原子沉積在鎳的表面,形成石墨烯，通過輕微的化學刻蝕，使石墨烯薄膜和鎳片分離得到石墨烯薄膜。

單層石墨烯在室溫下的熱導率超過５０００Ｗｎｒ１ＩＣ１，因此被作為用于熱管理系統中的理想熱管理材料。近年來，人們發現取向三維石墨烯網絡結構能夠為熱量傳遞提供有效路徑，因此在散熱材料和相變材料領域具有廣闊的應用前景。劉忠范院士團隊［３９］合成了用作熱管理材料的石墨烯氣凝膠／十八烷酸相變復合材料，在填充含量為２０ｖｏｌ％時熱導率約為２．６３５Ｗｍ－１Ｋ－１，且其垂直分布的石墨烯納米片提供了更大的光吸收及熱交換面積，顯著提高了太陽能的光－熱轉換及存儲效率，遠遠優于其他傳統的光－熱轉換材料。氧化石墨烯濾餅（SE2430W、SE243PW、SE243EW）。

光－熱能量轉換是石墨烯相變復合材料目前應用*****的一個領域。楊鳴波教授團隊［６３］通過化學氣相沉積（ＣＶＤ）制備出了具有互連網絡的石墨烯泡沫（ＧＦ），用于制備復合相變材料的三維骨架。研宄發現，這種相變復合材料的熱導率比純相變材料高７４４％，且具有很高的光－熱轉換效率，表明其在太陽能利用和存儲中的巨大潛力。**近，他們團隊［６４］通過冷凍鑄造法制備了三維石墨烯網絡，與聚乙二醇（ＰＥＧ）復合后得到具有出色的形狀穩定性以及高儲能密度的石墨烯相變復合材料。在１００ｍＷｃｎｒ２的模擬太陽光下照射２０分鐘，相變復合材料的溫度迅速升高，比較高可達到約７０°Ｃ，而純ＰＥＧ的溫度*為５５．４°Ｃ，無法完成相變過程。關閉模擬光源后，相變復合材料的溫度急劇下降，當溫度到達結晶點附近時，將出現另一個平臺，**著熱能的釋放過程。實驗結果表明，與純ＰＥＧ相比，石墨烯相變復合材料在光－熱能量轉換方面表現出更優異的性能，有著更好的應用前景。常州第六元素的子公司南通第六元素的生產規模在國內居首。氧化石墨烯項目

石墨烯環氧樹脂應用于重防腐涂料、導電涂料、粉末涂料以及膠粉劑等領域。氧化石墨烯生產

涂膜法是一種操作簡單、效率相對較高的制備方法，常見的涂膜法可分為噴涂法和旋涂法兩種。３〇＾０山６［４６］等人將００懸浮液噴涂在預熱后的５１／３丨０２基材上，待溶劑完全蒸發后得到石墨烯薄膜。在噴涂過程中，可通過調節噴霧持續時間和分散液濃度來精確地控制ＧＯ片的厚度及密度，進一步還原后所得到的石墨烯薄膜可作為Ｐ型半導體，并表現出良好的場效應響應。除了普遍使用的噴涂法之外，Ｌｉａｎ［４７］等人將電噴霧沉積法與卷對卷工藝相結合，經過機械壓實和２２００°Ｃ高溫處理后得到***石墨烯薄膜，熱導率比較高可達１４３４Ｗｎｒ１Ｋ－１，并且可實現大面積生產。Ｂａｏ［４］等人將ＧＯ分散液沉積在強氧化劑處理過的玻璃基材表面，并使基材分別以５００ｒｐｍ、８００ｒｐｍ和１６００ｒｐｍ的速度旋轉３０ｓ，氧化石墨烯生產