InternationalBusinessStrategies)總裁HandelJones就建議設計人員跳過臺積電和三星的臨時節點。他說,“在一些多選領域,客戶應該專注于5nm和3nm,忽略其他一些選擇諸如6nm和4nm”。Jones還提醒設計人員要等到晶圓廠在一個新節點上產能達到10萬片時才采用它,以避免因早期漏洞而產生的開發和試用新IP模塊的成本(如下所示)。邁向3納米、**封裝技術和特殊模塊隨著工藝節點的發展,預計成本不斷上升。(來源:InternationalBusinessStrategies,Inc。)臺積電的報告展示了其向3nm和2nm節點發展的道路,但沒有提到他們需要新的晶體管。Mii表示,硫化物和硒化物2D材料具有良好的移動性,因為其溝道厚度低于1納米,可以提供比7納米柵長硅片更高的驅動電流。隨著芯片尺寸的逐步縮小,臺積電晶圓廠已開發出一種新的低k薄膜,可以很好的克服耗盡效應。另外,使用新的反應離子蝕刻工藝還實現了在30nm工藝節點制造常規金屬線。在更多主流節點中,臺積電表示其22ULL節點將支持電池供電芯片的。HDMI模塊仍在開發中,USB、MIPI和LPDDR模塊被用于升級其28nm工藝節點,目前仍處于試用期。在封裝方面,臺積電提供了其***封裝技術系統級整合芯片(SoIC)和多晶圓堆疊封裝(WoW)的更多細節。貼片式電阻、電容在 SMT 貼片加工中用量極大,是電路穩定基石。閔行區優勢的SMT貼片加工ODM加工
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