發(fā)光二極管（LED）是一種能將電能直接轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件。當(dāng)正向電流通過(guò)LED時(shí)，電子與空穴復(fù)合釋放能量，以光子形式發(fā)光。LED具有高效、長(zhǎng)壽、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明（如LED燈泡）、顯示屏（手機(jī)、電視）、指示燈（電源、信號(hào)狀態(tài)）等領(lǐng)域。此外，不同材料制成的LED可發(fā)出不同顏色的光，如紅光、綠光、藍(lán)光，甚至紅外光（用于遙控器）和紫外光（用于殺菌）。近年來(lái)，隨著技術(shù)的發(fā)展，LED已成為節(jié)能照明和顯示技術(shù)的重要元件。 Infineon的EconoDUAL?封裝模塊兼容多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，為風(fēng)電變流器提供高性?xún)r(jià)比解決方案。廣東放大二極管

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱(chēng)為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 新疆混頻二極管利用 PN 結(jié)單向?qū)щ娦裕O管模塊在電路中實(shí)現(xiàn)電流單向?qū)ǎ钄喾聪螂娏鳌?/p>

二極管模塊是一種將多個(gè)二極管芯片集成在單一封裝中的功率電子器件，其主要結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體芯片、絕緣基板、電極和外殼。常見(jiàn)的封裝形式有TO-220、TO-247、DIP模塊和壓接式模塊等。模塊內(nèi)部通常采用直接覆銅（DBC）或活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板，以實(shí)現(xiàn)高絕緣耐壓（如2.5kV以上）和優(yōu)良散熱性能。例如，三相全橋整流模塊會(huì)將6個(gè)二極管芯片集成在氮化鋁（AlN）基板上，通過(guò)銅層實(shí)現(xiàn)電氣互連。這種模塊化設(shè)計(jì)不僅減小了寄生電感（可低于10nH），還通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化引腳布局簡(jiǎn)化了系統(tǒng)集成，廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器和新能源發(fā)電領(lǐng)域。

英飛凌PrimePACK?系列二極管模塊專(zhuān)為大功率工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器和重型機(jī)械。該模塊采用創(chuàng)新的彈簧接觸技術(shù)，有效降低接觸電阻（0.2mΩ），支持高達(dá)1400A的持續(xù)工作電流。其PressFIT壓接引腳設(shè)計(jì)避免了傳統(tǒng)焊接的疲勞問(wèn)題，大幅提升模塊在振動(dòng)環(huán)境下的可靠性。此外，PrimePACK?模塊內(nèi)置高精度溫度傳感器（±1℃）和電流檢測(cè)端子，可實(shí)時(shí)監(jiān)控運(yùn)行狀態(tài)，確保系統(tǒng)安全。實(shí)際應(yīng)用案例顯示，在起重機(jī)變頻系統(tǒng)中采用該模塊后，整體效率提升至98.5%，維護(hù)周期延長(zhǎng)至5萬(wàn)小時(shí)以上，明顯降低運(yùn)營(yíng)成本。光伏逆變器中，IGBT 與二極管模塊并聯(lián)，構(gòu)成功率開(kāi)關(guān)單元實(shí)現(xiàn)能量雙向流動(dòng)。

快恢復(fù)二極管（FRD）模塊的逆向恢復(fù)特性（trr<100ns）源于芯片的少子壽命控制技術(shù)。通過(guò)電子輻照或鉑摻雜，將PN結(jié)少數(shù)載流子壽命從μs級(jí)縮短至ns級(jí)。以1200V/50A FRD模塊為例，其反向恢復(fù)電流（Irr）與軟度因子（S=ta/tb）直接影響IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)di/dt=100A/μs時(shí)，優(yōu)化后的模塊Irr<30A，且S>0.8，可減少關(guān)斷電壓尖峰50%以上。模塊內(nèi)部常集成RC緩沖電路，利用10Ω+100nF組合吸收漏感能量，抑制電磁干擾（EMI）。 碳化硅（SiC）二極管模塊憑借零反向恢復(fù)特性，顛覆傳統(tǒng)硅基器件在新能源汽車(chē)的應(yīng)用。吉林IXYS二極管

智能二極管模塊集成溫度保護(hù)和電流監(jiān)測(cè)功能，提升系統(tǒng)安全性，減少故障風(fēng)險(xiǎn)。廣東放大二極管

賽米控SEMiX系列二極管模塊**了功率領(lǐng)域的封裝**。該平臺(tái)采用創(chuàng)新的"三明治"結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，將DCB基板、芯片和散熱底板通過(guò)納米銀燒結(jié)工藝一體化集成。以SEMiX 453GB12E4s為例，該1200V/450A模塊的寄生電感*7nH，比傳統(tǒng)模塊降低50%。獨(dú)特的壓力接觸系統(tǒng)（PCS）技術(shù)消除了焊接疲勞問(wèn)題，使模塊在ΔTj=80K的功率循環(huán)條件下壽命超過(guò)30萬(wàn)次。在電梯變頻器應(yīng)用中，實(shí)測(cè)顯示采用該模塊的系統(tǒng)效率提升至98.8%，溫升降低15K。賽米控還提供模塊化設(shè)計(jì)套件（MDK），支持客戶(hù)快速實(shí)現(xiàn)不同拓?fù)渑渲谩V東放大二極管