電子探針儀（圖1）主要包括：探針形成系統(tǒng) (電子槍、加速和聚焦部件等)、X射線(xiàn)信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng)和顯示、記錄系統(tǒng)、樣品室、高壓電源和掃描系統(tǒng)以及真空系統(tǒng)。電子探針的**早應(yīng)用領(lǐng)域是金屬學(xué)。對(duì)合金中各組成相、夾雜物等可作定性和定量分析，直觀而方便，還能較準(zhǔn)確地測(cè)定元素的擴(kuò)散和偏析情況。此外，它還可用于研究金屬材料的氧化和腐蝕問(wèn)題，測(cè)定薄膜、滲層或鍍層的厚度和成分等，是機(jī)械構(gòu)件失效分析、生產(chǎn)工藝的選擇、特殊用材的剖析等的重要手段。圖2為鎂合金中稀土氧化物在晶界析出的電子探針?lè)治稣掌ｋ娮邮Z擊樣品表面將產(chǎn)生特征X射線(xiàn)，不同的元素有不同的X射線(xiàn)特征波長(zhǎng)和能量。閔行區(qū)標(biāo)準(zhǔn)探針五星服務(wù)

利用電子探針?lè)治龇椒梢蕴街牧蠘悠返幕瘜W(xué)組成以及各元素的重量百分?jǐn)?shù)。分析前要根據(jù)試驗(yàn)?zāi)康闹苽錁悠罚瑯悠繁砻嬉鍧崱Ｓ貌ㄗV儀分析樣品時(shí)要求樣品平整，否則會(huì)降低測(cè)得的X射線(xiàn)強(qiáng)度。定性分析1 點(diǎn)分析用于測(cè)定樣品上某個(gè)指定點(diǎn)的化學(xué)成分。下圖是用能譜儀得到的某鋼定點(diǎn)分析結(jié)果。能譜儀中的多道分析器可使樣品中所有元素的特征X射線(xiàn)信號(hào)同時(shí)檢測(cè)和顯示。不像波譜儀那樣要做全部譜掃描，甚至還要更換分光晶體。2 線(xiàn)分析用于測(cè)定某種元素沿給定直線(xiàn)分布的情況。方法是將X射線(xiàn)譜儀（波譜儀或能譜儀）固定在所要測(cè)量的某元素特征X射線(xiàn)信號(hào)（波長(zhǎng)或能量）的位置上，把電子束沿著指定的方向做直線(xiàn)軌跡掃描，便可得到該元素沿直線(xiàn)特征X射線(xiàn)強(qiáng)度的變化，從而反映了該元素沿直線(xiàn)的濃度分布情況。改變譜儀的位置，便可得到另一元素的X射線(xiàn)強(qiáng)度分布。下圖為50CrNiMo鋼中夾雜Al2O3的線(xiàn)分析像。可見(jiàn)，在Al2O3夾雜存在的地方，Al的X射線(xiàn)峰較強(qiáng)。青浦區(qū)品牌探針現(xiàn)價(jià)探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對(duì)裸晶系以探針做功能測(cè)試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。

（1）電子光學(xué)系統(tǒng)。電子束直徑0.1～1μm，電子束穿透深度1～3μm。被激發(fā)原子發(fā)射特征X射線(xiàn)譜過(guò)程如下：圍繞原子核運(yùn)動(dòng)的內(nèi)層電子，被電子束的電子轟擊后，其他外層電子為補(bǔ)充轟擊出的電子而發(fā)生躍遷，在躍遷過(guò)程中釋放出能量，即發(fā)射出X射線(xiàn)。（2）X射線(xiàn)譜儀。測(cè)量各種元素產(chǎn)生的X射線(xiàn)波長(zhǎng)和強(qiáng)度，并以此對(duì)微小體積中所含元素進(jìn)行定性和定量分析。特征X射線(xiàn)圖像顯像管的原理是：X射線(xiàn)束入射到一已知晶面間距的晶體上（X射線(xiàn)分光光度計(jì)的彎曲晶體上），經(jīng)衍射后各種波長(zhǎng)的X射線(xiàn)按不同的布拉格角彼此分開(kāi)，因此如轉(zhuǎn)動(dòng)晶體，改變衍射角，同時(shí)以?xún)杀队诰w的轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)計(jì)數(shù)器，就可以依次測(cè)量出各種元素所產(chǎn)生的X射線(xiàn)波長(zhǎng)和強(qiáng)度，達(dá)到定性和定量分析的目的。

電子探針儀鏡筒部分的構(gòu)造大體上和掃描電子顯微鏡相同，只是在檢測(cè)器部分使用的是X射線(xiàn)譜儀、專(zhuān)門(mén)用來(lái)檢測(cè)X射線(xiàn)的特征波長(zhǎng)或特征能量，以此來(lái)對(duì)微區(qū)的化學(xué)成分進(jìn)行分析。因此，除專(zhuān)門(mén)的電子探針儀外，有相當(dāng)一部分電子探針儀是作為附件安裝在掃描電鏡或透射電鏡鏡筒上，以滿(mǎn)足微區(qū)組織形貌、晶體結(jié)構(gòu)及化學(xué)成分三位一體同位分析的需要 [1]。用波長(zhǎng)色散譜儀（或能量色散譜儀）和檢測(cè)計(jì)數(shù)系統(tǒng)，測(cè)量特征X射線(xiàn)的波長(zhǎng)（或能量）和強(qiáng)度，即可鑒別元素的種類(lèi)和濃度。分析元素從原子序數(shù)3（鋰）至92（鈾）。感量可達(dá)10-14至10-15g。

該系統(tǒng)為電子探針?lè)治鎏峁┚哂凶銐蚋叩娜肷淠芰浚銐虼蟮氖骱驮跇悠繁砻孓Z擊殿處束斑直徑近可能小的電子束，作為X射線(xiàn)的激發(fā)源。為此，一般也采用鎢絲熱發(fā)射電子槍和2-3個(gè)聚光鏡的結(jié)構(gòu)。 為了提高X射線(xiàn)的信號(hào)強(qiáng)度，電子探針必須采用較掃描電鏡更高的入射電子束流（在10-9-10-7A范圍），常用的加速電壓為10-30 KV，束斑直徑約為0.5μm。電子探針在鏡筒部分與掃描電鏡明顯不同之處是由光學(xué)顯微鏡。它的作用是選擇和確定分析點(diǎn)。其方法是，先利用能發(fā)出熒光的材料（如ZrO2）置于電子束轟擊下，這是就能觀察到電子束轟擊點(diǎn)的位置，通過(guò)樣品移動(dòng)裝置把它調(diào)到光學(xué)顯微鏡目鏡十字線(xiàn)交叉點(diǎn)上，這樣就能保證電子束正好轟擊在分析點(diǎn)上，同時(shí)也保證了分析點(diǎn)處于X射線(xiàn)分光譜儀的正確位置上。在電子探針上大多使用的光學(xué)顯微鏡是同軸反射式物鏡，其優(yōu)點(diǎn)是光學(xué)觀察和X射線(xiàn)分析可同時(shí)進(jìn)行。放大倍數(shù)為100-500倍。（1）電子光學(xué)系統(tǒng)。電子束直徑0.1～1μm，電子束穿透深度1～3μm。楊浦區(qū)特制探針現(xiàn)價(jià)

當(dāng)某一X射線(xiàn)光子進(jìn)入計(jì)數(shù)管后，管內(nèi)氣體電離，并在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生電脈沖信號(hào)。閔行區(qū)標(biāo)準(zhǔn)探針五星服務(wù)

探針卡是一種測(cè)試接口，主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試，通過(guò)連接測(cè)試機(jī)和芯片，通過(guò)傳輸信號(hào)對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試.。2019年曝光的WiFi探針技術(shù),甚至無(wú)需用戶(hù)主動(dòng)連接WiFi即可捕獲個(gè)人信息。 [1]近年來(lái)半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進(jìn)，超前摩爾定律預(yù)估法則好幾年，現(xiàn)階段已向7奈米以下挺進(jìn)。產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來(lái)越小、功能越來(lái)越強(qiáng)、腳數(shù)越來(lái)越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(Flip Chip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲(chǔ)器及CPU等。上述高階封裝方式單價(jià)高昂，如果能在封裝前進(jìn)行芯片測(cè)試，發(fā)現(xiàn)有不良品存在晶圓當(dāng)中，即進(jìn)行標(biāo)記，直到后段封裝制程前將這些標(biāo)記的不良品舍棄，可省下不必要的封裝成本。閔行區(qū)標(biāo)準(zhǔn)探針五星服務(wù)

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