IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導調制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態電壓。 [1] [4]IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。這時,如果集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發熱及至損壞。普陀區進口IGBT模塊設計
2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間,由于電路中其他部分的工作,會在柵極電路中產生一些高頻振蕩信號,這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態,增加管子的功耗。重則將使調壓電路處于短路直通狀態。因此,比較好給處于截止狀態的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現開關噪聲時仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,保護柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,驅動信號超出此范圍就可能破壞柵極。普陀區進口IGBT模塊設計在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優點。實質是個復合功率器件,它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低,開關頻率高(可達20khz),這兩點非常顯著的特性,**近西門子公司又推出低飽和壓降(2.2v)的npt-IGBT性能更佳,相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發研制新品種。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時,由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區存在電導調制效應,所以IGBT 的通態壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處于斷態時,只有很小的泄漏電流存在。 [1]動態特性IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區至飽和,又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間, tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。
IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導調制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態電壓。IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進行保護的電路。由于N+ 區存在電導調制效應,所以IGBT 的通態壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ~ 3V 。浦東新區如何IGBT模塊聯系人
具體地來說,p+n-p的電流放大系數α設計為0.5以下。普陀區進口IGBT模塊設計
IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。多使用在工業用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應加熱(InductionHeating)電飯鍋等領域。根據封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型,從TO-3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD (FleeWheelDiode)成對地(2或6組)封裝起來的模塊型,主要應用在工業上。模塊的類型根據用途的不同,分為多種形狀及封裝方式,都已形成系列化。普陀區進口IGBT模塊設計
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