各類科學(xué)實驗：在化學(xué)實驗、生物實驗、物理實驗等實驗室中，超純水常被用作反應(yīng)物、溶劑或沖洗用水等。例如，在細(xì)胞培養(yǎng)實驗中，需要使用超純水來配制培養(yǎng)基，以避免水中的有機污染物和雜質(zhì)對細(xì)胞生長產(chǎn)生影響；在化學(xué)分析實驗中，超純水可作為空白對照或用于配制標(biāo)準(zhǔn)溶液，確保實驗數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性機械過濾：通常采用石英砂過濾器、活性炭過濾器等，去除原水中的懸浮物、泥沙、鐵銹、膠體等大顆粒雜質(zhì)和部分有機物，保護后續(xù)的反滲透膜。比如，石英砂過濾器可有效截留 5μm 以上的顆粒物質(zhì)245.軟化處理：若原水硬度較高，還需進(jìn)行軟化處理，一般使用軟化樹脂過濾器，去除水中的鈣、鎂離子，防止其在反滲透膜表面結(jié)垢，影響膜的性能和壽命4.精密過濾：在進(jìn)入反滲透系統(tǒng)前，經(jīng)過保安過濾器進(jìn)行精密過濾，進(jìn)一步去除水中殘留的微小顆粒雜質(zhì)，確保進(jìn)水的 SDI 值滿足反滲透膜的要求，通常要求 SDI 值小于 5，保護反滲透膜不受堵塞23.超純水在玩具制造中用于環(huán)保材料的加工處理。清洗超純水量大從優(yōu)

此外，空氣中的灰塵顆粒也是一個重要的影響因素。如果灰塵顆粒落入超純水樣品中或者附著在測量電極上，會影響電極與超純水之間的接觸，并且灰塵中可能含有可溶物質(zhì)，這些物質(zhì)溶解后會干擾測量結(jié)果，使電阻率降低。周圍環(huán)境中的電磁干擾也會對超純水電阻率測量產(chǎn)生影響。例如，附近的大型電機、變壓器、高頻通信設(shè)備等產(chǎn)生的電磁場，可能會在測量電路中感應(yīng)出額外的電流。這些感應(yīng)電流會干擾測量電極之間的正常電流信號，導(dǎo)致測量的電阻率出現(xiàn)偏差。在強電磁干擾環(huán)境下，測量儀器的電子元件也可能會受到影響，從而影響信號處理和顯示單元的準(zhǔn)確性。例如，電磁干擾可能會導(dǎo)致電阻率儀顯示的數(shù)值出現(xiàn)跳動或者不準(zhǔn)確的情況。清洗超純水量大從優(yōu)超純水的生產(chǎn)需優(yōu)化離子交換樹脂的組合方式。

電子行業(yè) 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，超純水的應(yīng)用極為關(guān)鍵。芯片制造過程中，從硅片的清洗、光刻、蝕刻到離子注入等各個工序，都需要超純水。例如，在硅片清洗過程中，超純水可以有效去除硅片表面的顆粒、有機物和金屬離子等雜質(zhì)。因為芯片的線寬非常小，微小的雜質(zhì)顆粒都可能導(dǎo)致芯片短路或出現(xiàn)性能問題。在光刻工藝中，超純水用于沖洗光刻膠，確保光刻圖案的準(zhǔn)確性。其高純度能夠避免水中雜質(zhì)對光刻膠的溶解特性產(chǎn)生影響，從而保障芯片的高精度制造。 對于電子元器件的生產(chǎn)，如電路板的制作，超純水也不可或缺。它用于清洗電路板，去除焊接過程中產(chǎn)生的助焊劑殘留物、金屬屑等雜質(zhì)。這些雜質(zhì)如果殘留在電路板上，可能會引起電路的腐蝕或短路，影響電子產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

高錳酸鉀法，原理：在酸性或堿性條件下，以高錳酸鉀為氧化劑，將水樣中的有機物氧化，剩余的高錳酸鉀用草酸鈉溶液還原，再用高錳酸鉀溶液回滴過量的草酸鈉，通過計算求出高錳酸鹽指數(shù)，即 CODMn。 適用范圍：適用于污染物相對較低的河流水和地表水。優(yōu)點：實驗過程中產(chǎn)生的污染比重鉻酸鉀法小。缺點：氧化性較低，氧化不徹底，測得的高錳酸鹽指數(shù)比重鉻酸鹽指數(shù)低，通常與國標(biāo)法測定結(jié)果相差 3-8 倍，且試驗中需要回滴過量草酸鈉，耗時長。超純水在農(nóng)業(yè)科研中用于無土栽培營養(yǎng)液配制。

酸性清洗，將配置好的酸性清洗液（如檸檬酸溶液）通過清洗泵打入反滲透膜組件，循環(huán)清洗 30 - 60 分鐘。循環(huán)過程中，監(jiān)測清洗液的溫度，控制在 25℃ - 35℃，可通過在清洗水箱中設(shè)置加熱或冷卻裝置來調(diào)節(jié)溫度。循環(huán)結(jié)束后，讓膜組件在酸性清洗液中浸泡 15 - 30 分鐘，使清洗液與膜表面的無機鹽垢充分反應(yīng)。浸泡結(jié)束后，開啟濃水排放閥和產(chǎn)水排放閥，將酸性清洗液排放至專門的廢液收集容器中，排放過程中要注意防止清洗液飛濺和泄漏，按照環(huán)保要求處理廢液。用清水對膜組件進(jìn)行沖洗，沖洗時間不少于 30 分鐘，直至沖洗水的 pH 值接近中性（pH 值為 6 - 8），監(jiān)測沖洗水的電導(dǎo)率，當(dāng)電導(dǎo)率低于 50μS/cm 時可認(rèn)為沖洗基本合格。脫鹽率：脫鹽率是衡量反滲透膜性能的關(guān)鍵指標(biāo)。清洗后，脫鹽率應(yīng)明顯提高并穩(wěn)定在合理范圍內(nèi)。一般來說，清洗后的脫鹽率應(yīng)恢復(fù)到初始脫鹽率的 95% 以上。例如，初始脫鹽率為 98%，清洗后脫鹽率應(yīng)至少達(dá)到 93.1%（98%×95%）。可以通過檢測產(chǎn)水和進(jìn)水的電導(dǎo)率來計算脫鹽率，計算公式為：脫鹽率 =(1 - 產(chǎn)水電導(dǎo)率 / 進(jìn)水電導(dǎo)率)×100%。正滲透技術(shù)在超純水制備中有潛在應(yīng)用前景。北京介紹超純水項目

超純水在考古文物修復(fù)中用于特殊材料處理。清洗超純水量大從優(yōu)

壓力差變化：觀察反滲透系統(tǒng)中進(jìn)水壓力與濃水壓力之間的差值（即壓力差）。清洗后，壓力差應(yīng)明顯降低。如果壓力差在清洗后沒有明顯變化或者反而升高，可能意味著膜表面的污染物沒有被徹底清洗干凈，或者膜元件內(nèi)部存在堵塞情況。正常情況下，清洗后壓力差應(yīng)比清洗前降低 30% - 50%。例如，清洗前壓力差為 0.3MPa，清洗后理想狀態(tài)下應(yīng)降至 0.15 - 0.21MPa。化學(xué)需氧量（COD）和總有機碳（TOC）：對于處理含有機物污染的反滲透膜，檢測產(chǎn)水中的 COD 和 TOC 含量可以判斷清洗效果。清洗徹底時，產(chǎn)水中的 COD 和 TOC 含量應(yīng)大幅降低。例如，清洗前產(chǎn)水 COD 含量為 5mg/L，清洗后應(yīng)降低至 1mg/L 以下；TOC 含量清洗前為 3mg/L，清洗后應(yīng)接近 0mg/L 或降低至極低水平，如 0.5mg/L 以下。直接觀察法：在條件允許的情況下，可以拆開反滲透膜元件進(jìn)行直接觀察。如果膜表面的污垢、水垢、生物膜等污染物被徹底清洗干凈，膜表面應(yīng)恢復(fù)光潔，顏色均勻，沒有明顯的污漬、沉積物或變色現(xiàn)象。例如，對于被碳酸鈣垢污染的膜，清洗徹底后膜表面的白色結(jié)垢應(yīng)完全消失。清洗超純水量大從優(yōu)