安裝注意事項：1、考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規格時應留出適當裕量。2、模塊管芯工作結溫：可控硅為-40℃∽125℃；環境溫度不得高于40℃；環境濕度小于86%。3、使用環境應無劇烈振動和沖擊，環境介質中應無腐蝕金屬和破壞絕緣的雜質和氣氛。4、由于可控硅模塊是絕緣型（即模塊接線柱對銅底板之間的絕緣耐壓大于），因此可以把多個模塊安裝在同一散熱器上，需接地線。5、散熱器安裝表面應平整、光滑，不能有劃痕、磕碰和雜物。散熱器表面光潔度應小于10μm。模塊安裝到散熱器上時，在它們的接觸面之間應涂一層很薄的導熱硅脂。涂脂前，用細砂紙把散熱器接觸面的氧化層去掉，然后用無水乙醇把表面擦干凈，使接觸良好，以減少熱阻。模塊緊固到散熱器表面時，采用M5或M6螺釘和彈簧墊圈，并以4NM力矩緊固螺釘與模塊主電極的連線應采用銅排，并有光滑平整的接觸面，使接觸良好。模塊工作３小時后，各個螺釘須再次緊固一遍。淄博正高電氣始終堅持以人為本，恪守質量為金，同建雄績偉業。煙臺三相可控硅調壓模塊組件

必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數：1.正反向重復峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2.額定通態平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3.門極觸發電流IGT，門極觸發電壓UGT，（受溫度變化）晶閘管關斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部。在關斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關斷過電壓（換相過電壓）。數值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。交流側過電壓及其保護由于交流側電路在接通或斷開時出現暫態過程，會產生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容。煙臺三相可控硅調壓模塊組件淄博正高電氣生產的產品受到用戶的一致稱贊。

儲存在變壓器中的磁場能量會產生過電壓，顯然在交流側阻容吸收保護電路可以這種過電壓，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進行保護。過電流保護一般加快速熔斷器進行保護，實際上它不能保護可控硅，而是保護變壓器線圈。電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件。為了解決均流問題，過去加均流電抗器，噪聲很大，效果也不好，一只一只進行對比，擰螺絲松緊，很盲目，效果差，噪音大，耗能。我們采用的辦法是：用計算機程序軟件進行動態參數篩選匹配、編號，裝配時按其號碼順序裝配，很間單。每一只元件上都刻有字，以便下更換時參考。這樣能使均流系數可達到。

可控硅晶閘管、整流管等器件在使用時普遍有發熱現象，正高電氣針對目前市場上客戶反饋問題總結出以下處理方案，希望對大家有所幫助。反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。屬選型問題，需改動設計并更換設計要求電流的器件；需要求供應廠家更換合格產品；如銅排的連接，水路，水壓及水的流速，風道風速，散熱器臺面的平整度，安裝緊固力等等。非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。：銅排接觸面必須平整光亮，無碳化和污染情況，確保可靠接觸，緊固螺絲必須擰緊；避免接觸不良或緊固力不足引起的銅排發熱傳導，導致散熱器溫度過高，影響器件使用。，導致散熱器和器件之間接觸壓降明顯增加導致大量發熱，器件和散熱器均發熱嚴重；必須整修臺面平整度或更換散熱片。緊固力不夠會導致器件和散熱器均發熱嚴重，現場必須檢查緊固力。是否真正起作用。檢查水的壓力，流速及水腔內是否結水垢，確保壓力足夠，流速正常，無水垢。淄博正高電氣以質量求生存，以信譽求發展！

它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結構和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應用較多。■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26。■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表來簡單分析可控硅的工作原理。我們可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。淄博正高電氣與廣大客戶攜手并進，共創輝煌！煙臺三相可控硅調壓模塊組件

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晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態平均電壓或通態壓降VT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，當通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發電壓VGT門極觸發VGT，是指在規定的環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發電流IGT門極觸發電流IGT，是指在規定環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導通的小電流。當正向電流小于IH時，導通的晶閘管會自動關斷。(十一)晶閘管斷態重復峰值電流IDR斷態重復峰值電流IDR。煙臺三相可控硅調壓模塊組件

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