引理最近有朋友說關于加熱爐出現燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設計了一個加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設計連接方式為星形連接，其中一臺設備采用了三角形連接方式，結果晶閘管經常被燒毀，問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個問題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個方面進行分析。本文分析采用理論與實際相結合形式，讀者根據需求選擇部分章節進行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導通控制電阻絲功率的調功器。調功器的控制方式：晶閘管零電壓開關，在時間周期T內，晶閘管全導通周波數對應的時間Tm，晶閘管關閉時間T-Tm，采用控制方式通常為PID控制，根據當前溫度與目標控制溫度差值，PID調節器輸出值決定導通周波數時間，在晶閘管導通時，負載電壓等于相電壓，在晶閘管關段時，負載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯星接每個控制周期T的平均電壓為：每個控制周期T的電阻加熱量為：可見電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大，加熱量越大。而電爐子的傳遞函數仍然可用《自動控制原理》一文中的公式進行計算。正高電氣提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。淄博MTAC800晶閘管智能模塊報價

    中頻電壓互感器過來的中頻電壓信號由CON2-1和CON2-2輸入后，分為兩路，一路由IC1A進行電平轉換后送到IC6的30P，另一路經D7-D10整流后，又分為兩路，一路送到電壓/電流調節器，另一路送到過電壓保護。由主回路交流互感器取得的電流信號，先在外部轉換成電壓信號，從CON2-3、CON2-4、CON2-5輸入，經二極管D11-D16整流后，再分為兩路，一路作為過流保護信號，另一路作為電壓/電流調節器的反饋信號。本電路逆變觸發部分，采用的是掃頻式零壓軟起動，只需取一路中頻電壓反饋信號，無需槽路中頻電容器上的電流信號，其本質上相當于它激轉自激電路，屬于平均值反饋電路。由于主回路上無需附加任何起動電路，不需要預充磁或預充電的起動過程，因此，主回路得以簡化，調試過程簡單。起動過程大致是這樣的，在逆變電路起動前，先以一個高于槽路諧振頻率的它激信號去觸發逆變晶閘管，當電路檢測到主回路開始有直流電流時，便控制它激信號的頻率從高向低掃描，同時加大主回路的直流電流，當它激信號頻率下降到接近槽路諧振頻率時，中頻電壓便建立起來，并反饋到自動調頻電路。自動調頻電路一旦投入工作，便停止它激信號的頻率往低掃描動作，轉由自動調頻電路控制逆變動引前角。淄博MTAC800晶閘管智能模塊報價正高電氣不懈追求產品質量，精益求精不斷升級。

    晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。晶閘管的種類晶閘管有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。（二）按引腳和極性分類晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中。

    使得VD1~VD4所組成的橋路不通，作為負載的燈泡中無電流流過，燈泡不亮。以下是一款簡單的光敏電阻延時節電開關電路圖，它是由三個接線端子［1］、［2］、［3］，三端低壓直流電源［4］，延時電路由（W↓〔1〕、R↓〔1〕、C↓〔1〕構成），脈沖電路（由R↓〔2〕、BG↓〔1〕構成），無觸點開關電路（由SCR↓〔1〕、R↓〔2〕、D↓〔1〕、SCR↓〔2〕構成。它具有電路簡單、成本低、體積小、布線簡單、使用方便、經久耐用、節電顯著、用電設備壽命長的特點。光敏電阻光控燈電路圖（三）：基于光敏電阻的亮度自動調節臺燈電路圖本方案介紹的自動調光臺燈能根據周圍環境亮度強弱自動調整臺燈發光量。當環境亮度弱，它發光亮度就增大；環境亮度強，發光亮度就減暗。臺燈電路及工作原理該燈電路見圖1.當開關S撥向位置2時，它是一個普通調光臺燈。RP、C和氖泡N組成張弛振蕩器，用來產生脈沖觸發可控硅VS.一般氖泡輝光導通電壓為60-80V，當C充電到輝光電壓時，N輝光導通，VS被觸發導通。調節RP能改變C充電速率，從而能改變VS導通角，達到調光的目的。R2、R3構成分壓器通過VD5也向C充電，改變R2、R3分壓也能改變VS導通角，使燈的亮度發生變化。當S撥向位置1時，光敏電阻RG取代R3。正高電氣交通便利，地理位置優越。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關與接觸器的選型無功補償中一個重要器件就是電容器投切開關。早期多采用的是接觸器，隨后呈現的是可控硅投切開關，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴重時，會發作觸頭熔焊現象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切專用接觸器，在無功負荷動搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運用壽命短，需求經常停止檢修的問題。一般使用于負荷穩定，投切次數較少的場合。可控硅投切開關，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對電網無沖擊，反響速度快等特性，會產生很高的溫升，需求運用專用散熱器，來處理其通風散熱問題，一般應用于負荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣（常州）有限公司是專業的可控硅投切開關生產供應廠商，嚴格把控產品細節，努力為客戶提供完善的服務。我司專利產品主要包含德國進口可控硅、可控硅觸發模塊（自主研發）、溫控開關、鋁合金散熱器、冷卻風機等，能實現可控硅的智能散熱及智能溫度保護的功能，可提高可控硅的運行穩定性。正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。淄博MTAC800晶閘管智能模塊報價

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    但是在設定電流限值時必須要根據電動機的初始轉矩來設定，否則設置過小會起動失敗或燒壞電機。此種起動方式起動時間相對較長。圖3限流起動4、突跳起動這種起動方式主要應用在負載相對較重的工作環境下。在轉矩控制的基礎下，在起動的瞬間采用一個突跳轉矩用來克服負載的靜轉矩，然后轉矩在逐漸上升，直至電動機到達正常工作狀態。這種起動方式的優點是可以縮短起動時間，起動較重的負載，但在起動的時候會對電網產生一定的沖擊，影響同一電網下其他負荷的工作。圖4突跳起動5、軟停車軟停車的實際上就相當于相反軟起動過程，主要作用是消除了系統的反慣性沖擊，對于泵類負載來講就是克服了“水錘”效應。其主要過程是在電動機實行軟停車時軟起動裝置的旁路接觸器斷開，同時晶閘管開始工作，使電機電壓逐漸下降，轉速降低，達到軟停車的效果。（如圖5）圖5軟起動和軟停車全過程6、泵控起動及停車由于水泵類負載其相對特殊的機械特性，部分軟起動廠家針對泵類負載的特性曲線專門設計了泵控型起動和停車方式，該種起動方式可以通過電機平滑的加速和減速，使離心泵在起動和停機期間降低水錘沖擊。主控電路通過采集信號分析電機的各個運行參數。淄博MTAC800晶閘管智能模塊報價

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