引理最近有朋友說關(guān)于加熱爐出現(xiàn)燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設(shè)計(jì)了一個(gè)加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設(shè)計(jì)連接方式為星形連接，其中一臺(tái)設(shè)備采用了三角形連接方式，結(jié)果晶閘管經(jīng)常被燒毀，問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個(gè)問題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個(gè)方面進(jìn)行分析。本文分析采用理論與實(shí)際相結(jié)合形式，讀者根據(jù)需求選擇部分章節(jié)進(jìn)行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導(dǎo)通控制電阻絲功率的調(diào)功器。調(diào)功器的控制方式：晶閘管零電壓開關(guān)，在時(shí)間周期T內(nèi)，晶閘管全導(dǎo)通周波數(shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間Tm，晶閘管關(guān)閉時(shí)間T-Tm，采用控制方式通常為PID控制，根據(jù)當(dāng)前溫度與目標(biāo)控制溫度差值，PID調(diào)節(jié)器輸出值決定導(dǎo)通周波數(shù)時(shí)間，在晶閘管導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載電壓等于相電壓，在晶閘管關(guān)段時(shí)，負(fù)載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯(lián)星接每個(gè)控制周期T的平均電壓為：每個(gè)控制周期T的電阻加熱量為：可見電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大，加熱量越大。而電爐子的傳遞函數(shù)仍然可用《自動(dòng)控制原理》一文中的公式進(jìn)行計(jì)算。正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。濟(jì)南MTAC20晶閘管智能模塊組件

    對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是，不需要具體計(jì)算IAT、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值。注意事項(xiàng)：（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。。濟(jì)南MTAC20晶閘管智能模塊組件正高電氣擁有業(yè)內(nèi)權(quán)威人士和高技術(shù)人才。

 某加熱爐控制柜，需要控制額定電壓為380V，比較大工作電流為150A的加熱爐，應(yīng)使用什么規(guī)格型號(hào)的模塊？

《使用說明書》中的選型計(jì)算公式：I>K×I負(fù)載×U比較大/U實(shí)際

K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=1點(diǎn)5，感性負(fù)載K=2

I負(fù)載：負(fù)載流過的比較大電流

U比較大：負(fù)載上的最小電壓

U實(shí)際：模塊能輸出的比較大電壓（三相整流模塊為輸入電壓的1點(diǎn)35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0點(diǎn)9倍，其余規(guī)格均為1點(diǎn)0倍）

I：需要選擇模塊的最小電流，模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。

    但是在設(shè)定電流限值時(shí)必須要根據(jù)電動(dòng)機(jī)的初始轉(zhuǎn)矩來設(shè)定，否則設(shè)置過小會(huì)起動(dòng)失敗或燒壞電機(jī)。此種起動(dòng)方式起動(dòng)時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)。圖3限流起動(dòng)4、突跳起動(dòng)這種起動(dòng)方式主要應(yīng)用在負(fù)載相對(duì)較重的工作環(huán)境下。在轉(zhuǎn)矩控制的基礎(chǔ)下，在起動(dòng)的瞬間采用一個(gè)突跳轉(zhuǎn)矩用來克服負(fù)載的靜轉(zhuǎn)矩，然后轉(zhuǎn)矩在逐漸上升，直至電動(dòng)機(jī)到達(dá)正常工作狀態(tài)。這種起動(dòng)方式的優(yōu)點(diǎn)是可以縮短起動(dòng)時(shí)間，起動(dòng)較重的負(fù)載，但在起動(dòng)的時(shí)候會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生一定的沖擊，影響同一電網(wǎng)下其他負(fù)荷的工作。圖4突跳起動(dòng)5、軟停車軟停車的實(shí)際上就相當(dāng)于相反軟起動(dòng)過程，主要作用是消除了系統(tǒng)的反慣性沖擊，對(duì)于泵類負(fù)載來講就是克服了“水錘”效應(yīng)。其主要過程是在電動(dòng)機(jī)實(shí)行軟停車時(shí)軟起動(dòng)裝置的旁路接觸器斷開，同時(shí)晶閘管開始工作，使電機(jī)電壓逐漸下降，轉(zhuǎn)速降低，達(dá)到軟停車的效果。（如圖5）圖5軟起動(dòng)和軟停車全過程6、泵控起動(dòng)及停車由于水泵類負(fù)載其相對(duì)特殊的機(jī)械特性，部分軟起動(dòng)廠家針對(duì)泵類負(fù)載的特性曲線專門設(shè)計(jì)了泵控型起動(dòng)和停車方式，該種起動(dòng)方式可以通過電機(jī)平滑的加速和減速，使離心泵在起動(dòng)和停機(jī)期間降低水錘沖擊。主控電路通過采集信號(hào)分析電機(jī)的各個(gè)運(yùn)行參數(shù)。正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。

    如果所裝的中頻電源不需要復(fù)位功能、報(bào)警功能、內(nèi)接頻率表的話，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應(yīng)用舉例圖示為一臺(tái)KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖，可作為其它裝置原理設(shè)計(jì)的參考，由于控制電路已經(jīng)對(duì)開機(jī)，關(guān)機(jī)的邏輯進(jìn)行了設(shè)計(jì)，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調(diào)試一臺(tái)20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時(shí)，注意“地線”千萬不能接，示波器外殼對(duì)地需絕緣，僅使用一蹤探頭，示波器的X軸、Y軸均需較準(zhǔn)，探頭需在測(cè)試信號(hào)下補(bǔ)償好。若無高壓示波器探頭，應(yīng)用電阻做一個(gè)分壓器，以適應(yīng)600V以上電壓的測(cè)量。一個(gè)≤500Ω、≥500W的電阻性負(fù)載。為了調(diào)試的安全，調(diào)試前，應(yīng)該使逆變橋不工作。例如：把平波電抗器的一端斷開，再在整流橋直流口接入一個(gè)≤500Ω、≥500W的電阻性負(fù)載。電路板上的IF微調(diào)電位器W1順時(shí)針旋至比較高端（調(diào)試過程發(fā)生短路時(shí)，可以提供過流保護(hù)）。主控板上的DIP-1開關(guān)撥在ON位置；用示波器做好測(cè)量整流橋輸出直流電壓波形的準(zhǔn)備；把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至最小。送上三相供電（可以不分相序），檢查是否有缺相報(bào)警報(bào)示，若有，可以檢查進(jìn)線快速熔斷器是否損壞。把面板上的“給定”電位器順時(shí)針旋大。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。濟(jì)南MTAC20晶閘管智能模塊組件

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    [1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管最重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測(cè)單結(jié)晶體管時(shí)，萬用表置于“R×1k”擋。濟(jì)南MTAC20晶閘管智能模塊組件

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