二極管的分類：發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，普遍用于信號指示等電路中。在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。半導體二極管的非線性電流-電壓特性。深圳TOS二極管廠家

開關二極管的勢壘電容一般極小，這就相當于堵住了勢壘電容這條路，達到了在高頻條件下還可以保持好的單向導電性的效果。開關二極管從截止(高阻狀態)到導通(低阻狀態)的時間叫開通時間；從導通到截止的時間叫反向恢復時間；兩個時間之和稱為開關時間。一般反向恢復時間大于開通時間，故在開關二極管的使用參數上只給出反向恢復時間。開關二極管的開關速度是相當快的，像硅開關二極管的反向恢復時間只有幾納秒，即使是鍺開關二極管，也不過幾百納秒。開關二極管具有開關速度快、體積小、壽命長、可靠性高等特點，普遍應用于電子設備的開關電路、檢波電路、高頻和脈沖整流電路及自動控制電路中。深圳TOS二極管廠家二極管紅外線發射與接收的方式有兩種，其一是直射式，其二是反射式。

二極管電路分析思路說明對電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點：（1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結構一樣，這兩組二極管在這一電路中所起的作用是相同的，所以只要分析其中一組二極管電路工作原理即可。（2）集成電路A1的①腳通過電阻R1與三極管VT1基極相連，顯然R1是信號傳輸電阻，將①腳上輸出信號通過R1加到VT1基極，由于在集成電路A1的①腳與三極管VT1基極之間沒有隔直電容，根據這一電路結構可以判斷：集成電路A1的①腳是輸出信號引腳，而且輸出直流和交流的復合信號。確定集成電路A1的①腳是信號輸出引腳的目的是為了判斷二極管VD1在電路中的具體作用。

二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。二極管的電路符號，二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極。

光電二極管的主要部分是P-N結，和普通的二極管一樣，P-N結屬于單向導電的非線性元件，在P-N結中存在一個從N區指向P區的內電場E。在熱平衡的條件下(無光照下)，多數載流子(N區的電子和P區的空穴)的擴散作用與少數載流子(N區的空穴和P區的電子)的漂移作用相互抵消，沒有凈電荷通過P-N結。有光照射在P-N結及附近區域時，如果照射的光子有足夠大的能量，那么就會在P-N結及附近區域產生少數光生載流子。少數光生載流子靠擴散作用進入P-N結區，并在內電場E的作用下，電子漂移到N區，空穴漂移到P區，使N區帶負電荷，P區帶正電荷，進而產生附加電勢，我們把這個電勢叫做光生電動勢。 當有外加偏壓，且外加偏壓方向與P一結內電場 一致時，光生載流子在勢壘區電場作用下漂移過P-N結，形成導電電流。二極管開路時，對繼電器電路工作狀態沒有大的影響。深圳TOS二極管廠家

二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。深圳TOS二極管廠家

面接觸式二極管：面接觸式PN結二極管是由一塊半導體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個半導體（如本征硅）的一端成為一個包含負極性載流子（電子）的區域，稱作N型半導體；另一端成為一個包含正極性載流子（空穴）的區域，稱作P型半導體。兩種材料在一起時，電子會從N型一側流向P型一側。這一區域電子和電洞相互抵銷，造成中間區域載流子不足，形成“空乏層”。在空乏層內部存在“內電場”：N型側帶正電，P型側帶負電。兩塊區域的交界處為PN結，晶體允許電子（外部來看）從N型半導體一端，流向P型半導體一端，但是不能反向流動。深圳TOS二極管廠家

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