晶閘管軟起動的起動方式1、全壓起動在這種狀態下（圖1），軟起動裝置相當一個固態接觸器，電機和直接起動一樣，承受全部的電流沖擊和轉矩沖擊，一般情況下晶閘管全開時間控制在：圖1全壓起動2、電壓斜坡起動該模式是比較長用的起動模式。它通過減少起動力矩的沖擊，實現對電機平滑、連續無級加速的起動，從而使齒輪、連軸結和皮帶的摩擦減小到比較低。用戶可以調節電機的初始轉矩，在加速斜坡時間內，電機的輸入電壓從設置的初始轉矩對應的電壓線性上升，把傳統的降壓起動變有級為無級，從而可以使電機平滑的起動，減少了機械方面的沖擊。圖2電壓斜坡起動3、限流起動限流起動，顧名思義，就是在電動機起動過程中把起動電流限制到某一設定電流值以下。主要用在相對較輕負載起動，并且對電網沖擊有一定要求的工況下，其輸入電壓從零開始迅速增長，直到其電流達到預先設定的電流限值，然后在保證輸出電流不大于電流限值的情況下，改變晶閘管的導通角，逐漸升高電壓，直到額定電壓。與此同時，電動機的轉速也在逐漸上升，到達額定轉速。這種起動的優點是起動電流較小，可以把電動機起動對電網的沖擊降到**小，并可按照需要進行設定限流值。正高電氣為客戶服務，要做到更好。青島MTDC1000晶閘管智能模塊配件

    軟啟動器可分為有級和無極兩類，前者的調節是分檔的；后者的調節是連續的。傳統的軟起動器均是有級的。下面我們就是主要介紹下無級類，它們是液阻軟起動、磁控軟起動和晶閘管軟起動。在電動機定子回路，通過串入有限流作用的電力電子器件實現軟起動，叫做降壓或者限流軟起動，它是軟起動中的一個重要類別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動，以磁飽和電抗器為限流啟動的磁控軟啟動，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動。變頻調速器也是一種軟起動裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時保持高的起動轉矩。價格貴是制約其作為軟起動應用的重要因素，它主要用在變頻調速系統中。一、液阻軟起動器液阻是一種由電解液形成的電阻，它導電的本質是離子導電。它的阻值正比相對的二塊電極板的距離，反比于電解液的電導率，極板距離和電導率都便于控制；液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點（阻值可以無級控制和熱容量大），恰恰是軟起動所需要的。液阻軟起動也有缺點：一是液阻箱容積大，其根源在于阻性限流，減小容積引起溫升加大。一次軟起動后電解液通常會有10-30攝氏度的溫升，使軟啟動的重復性差。二是移動極板需要有一套伺服機構，它的移動速度較慢。青島MTDC1000晶閘管智能模塊配件正高電氣重信譽、守合同，嚴把產品質量關，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察，洽談業務！

    如果所裝的中頻電源不需要復位功能、報警功能、內接頻率表的話，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應用舉例圖示為一臺KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖，可作為其它裝置原理設計的參考，由于控制電路已經對開機，關機的邏輯進行了設計，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調試一臺20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時，注意“地線”千萬不能接，示波器外殼對地需絕緣，*使用一蹤探頭，示波器的X軸、Y軸均需較準，探頭需在測試信號下補償好。若無高壓示波器探頭，應用電阻做一個分壓器，以適應600V以上電壓的測量。一個≤500Ω、≥500W的電阻性負載。為了調試的安全，調試前，應該使逆變橋不工作。例如：把平波電抗器的一端斷開，再在整流橋直流口接入一個≤500Ω、≥500W的電阻性負載。電路板上的IF微調電位器W1順時針旋至比較**（調試過程發生短路時，可以提供過流保護）。主控板上的DIP-1開關撥在ON位置；用示波器做好測量整流橋輸出直流電壓波形的準備；把面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小。送上三相供電（可以不分相序），檢查是否有缺相報警報示，若有，可以檢查進線快速熔斷器是否損壞。把面板上的“給定”電位器順時針旋大。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關與接觸器的選型無功補償中一個重要器件就是電容器投切開關。早期多采用的是接觸器，隨后呈現的是可控硅投切開關，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴重時，會發作觸頭熔焊現象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器，在無功負荷動搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運用壽命短，需求經常停止檢修的問題。一般使用于負荷穩定，投切次數較少的場合。可控硅投切開關，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對電網無沖擊，反響速度快等特性，會產生很高的溫升，需求運用**散熱器，來處理其通風散熱問題，一般應用于負荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣（常州）有限公司是專業的可控硅投切開關生產供應廠商，嚴格把控產品細節，努力為客戶提供完善的服務。我司**產品主要包含德國進口可控硅、可控硅觸發模塊（自主研發）、溫控開關、鋁合金散熱器、冷卻風機等，能實現可控硅的智能散熱及智能溫度保護的功能，可提高可控硅的運行穩定性。正高電氣以精良的產品品質和優先的售后服務，全過程滿足客戶的***需求。

    由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。公司生產工藝得到了長足的發展，優良的品質使我們的產品****各地。青島MTDC1000晶閘管智能模塊配件

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晶閘管智能模塊電流規格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：

I>K×I負載×U較大∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的較大電流；    U實際：負載上的較大電壓；

U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電流一定要大于該值。

例：某系統用三相整流模塊電爐調溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調350V～450V，應選擇什么型號的模塊？

選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負載,按公式輸出電流應不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號為:3MTDC320。 青島MTDC1000晶閘管智能模塊配件

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