晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（英文中Negative），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。三極管選型表，腳位圖，應用圖。泰州長電貼片三極管測量方法

三極管的特性有流控特性、放大功能特性；要想讓三極管完全導通，必須要讓兩端加一個大于0.7V的電壓，三極管才完全導通。三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的重點元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。泰州長電貼片三極管測量方法盟科電子的三極管可以替代長晶，楊杰等品牌。

三極管的工作狀態：飽和導通當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當于開關的導通狀態。三極管的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。根據三極管工作時各個電極的電位高低，就能判別三極管的工作狀態，因此，電子維修人員在維修過程中，經常要拿多用電表測量三極管各腳的電壓，從而判別三極管的工作情況和工作狀態。

三極管的穿透電流ICEO的數值近似等于管子的倍數β和集電結的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環境溫度的升高而增長很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大將直接影響管子工作的穩定性，所以在使用中應盡量選用ICEO小的管子。通過用萬用表電阻直接測量三極管e－c極之間的電阻方法，可間接估計ICEO的大小，具體方法如下：萬用表電阻的量程一般選用R×100或R×1K擋，對于PNP管，黑表管接e極，紅表筆接c極，對于NPN型三極管，黑表筆接c極，紅表筆接e極。要求測得的電阻越大越好。e－c間的阻值越大，說明管子的ICEO越小；反之，所測阻值越小，說明被測管的ICEO越大。一般說來，中、小功率硅管、鍺材料低頻管，其阻值應分別在幾百千歐、幾十千歐及十幾千歐以上，如果阻值很小或測試時萬用表指針來回晃動，則表明ICEO很大，管子的性能不穩定。三級管硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。

發射結加正偏時，從發射區將有大量的電子向基區擴散，形成的電流為IEN。與PN結中的情況相同。從基區向發射區也有空穴的擴散運動，但其數量小，形成的電流為IEP。這是因為發射區的摻雜濃度遠大于基區的摻雜濃度。 進入基區的電子流因基區的空穴濃度低，被復合的機會較少。又因基區很薄，在集電結反偏電壓的作用下，電子在基區停留的時間很短，很快就運動到了集電結的邊上，進入集電結的結電場區域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區被復合的電子形成的電流是 IBN。 另外，因集電結反偏，使集電結區的少子形成漂移電流ICBO。三極管引腳的排列方式具有一定的規律。泰州長電貼片三極管測量方法

三極管NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反。泰州長電貼片三極管測量方法

在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電子流。由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Icn，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibn。泰州長電貼片三極管測量方法

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