三極管基極有電流流動時；由于B極和E極之間有正向電壓，所以電子從發射極向基極移動，又因為C極和E極間施加了反向電壓，因此，從發射極向基極移動的電子，在高電壓的作用下，通過基極進入集電極。于是，在基極所加的正電壓的作用下，發射極的大量電子被輸送到集電極，產生很大的集電極電流。基極無電流流動時；在B極和E極之間不能施加電壓的狀態時，由于C極和E極間施加了反向電壓，所以集電極的電子受電源正電壓吸引而在C極和E極之間產生空間電荷區，阻礙了從發射極向集電極的電子流動，因而就沒有集電極電流產生。盟科電子的三極管是可以定制，OEM。徐州大號功率三極管原理

BVCEO是三極管基極開路時，集電極-發射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發射極之間的電壓超過這個數值時，將可能使三極管產生很大的集電極電流，這種現象叫擊穿。三極管擊穿后會造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時，集電極電流在集電結上會產生熱量而使三極管發熱。若耗散功率過大，三極管將燒壞。在使用中如果三極管在大于PCM下長時間工作，將會損壞三極管。需要注意的是大功率三極管給出的大允許耗散功率都是在加有一定規格散熱器情況下的參數。徐州大號功率三極管原理三極管按材質分: 硅管、鍺管。

三極管將電阻Rc換成一個燈泡，那么當基極電流為0時，集電極電流為0，燈泡滅。如果基極電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三極管的放大倍數β)，三極管就飽和，相當于開關閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了，所以就可以用一個小電流來控制一個大電流的通斷。如果基極電流從0慢慢增加，那么燈泡的亮度也會隨著增加(在三極管未飽和之前)。但是在實際使用中要注意，在開關電路中，飽和狀態若在深度飽和時會影響其開關速度，飽和電路在基極電流乘放大倍數等于或稍大于集電極電流時是淺度飽和，遠大于集電極電流時是深度飽和。因此我們只需要控制其工作在淺度飽和工作狀態就可以提高其轉換速度。

晶體三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。基區很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三極管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里；NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，處于某一恰當的值時，三極管的發射結正向偏置，集電結反向偏置。

正向放大區（或簡稱放大區）：當發射結正向偏置，集電結反向偏置時，晶體管工作在放大區。大多數雙極性晶體管的設計目標，是為了在正向放大區得到大的共射極電流增益。晶體管工作在這一區域時，集電極-發射極電流與基極電流近似成線性關系。由于電流增益的緣故，當基極電流發生微小的擾動時，集電極-發射極電流將產生較為有名變化。反向放大區：當發射結反向偏置，集電結正向偏置時，晶體管工作在反向放大區。此時發射區和集電區的作用與正向放大區正好相反，但由于集電區的摻雜濃度低于發射區，反向放大區產生的放大效果小于正向放大區。而大多數雙極性晶體管的設計目標是盡可能得到大正向放大電流增益，因此在實際這種工作模式幾乎不被采用。三極管封裝形式指定該管的外觀形狀，如果其它參數都正確，封裝不同將導致組件無法在電路板上實現。徐州大號功率三極管原理

三極管選型表，腳位圖，應用圖。徐州大號功率三極管原理

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結構，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應管，BT打頭的表示半導體特殊元件。徐州大號功率三極管原理

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